三星电子近日宣布，发现了一种全新半导体材料 “无定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，简称 a-BN”。
三星高级技术学院SAIT的研究人员与蔚山国立科学技术学院UNIST和剑桥大学合作，发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料，它可能成为新一代半导体的材料，加速下一代半导体的问世，这项研究已经在《自然》杂志上发表。
近年来，三星 SAIT一直在研究二维（2D）材料具有单原子层的晶体材料的研究和开发。具体而言，该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，例如开发新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶晶片的新方法。石墨烯。除了研究和开发石墨烯外，SAIT还致力于加速材料的商业化。
“为了增强石墨烯与基于硅的半导体工艺的兼容性，应在低于 400°C 的温度下在半导体衬底上进行晶圆级石墨烯生长。” SAIT的石墨烯项目负责人兼首席研究员 Shin Hyeon-Jin Shin 表示。“我们还在不断努力，将石墨烯的应用范围扩展到半导体以外的领域。”
新发现的材料称为无定形氮化硼（a-BN），由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子，但实际上 a-BN 的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别。
无定形氮化硼具有 1.78 的同类最佳的超低介电常数，具有强大的电气和机械性能，可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰，还证明了该材料可以在仅 400°C 的低温下以晶圆级生长。因此，预计无定形氮化硼将广泛应用于诸如 DRAM 和 NAND 解决方案的半导体，尤其是在用于大型服务器的下一代存储器解决方案中。
SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人Park Seongjun Park表示：“最近，人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣不断增加。但是，将材料应用于现有的半导体工艺仍然存在许多挑战，我们将继续开发新材料来引领半导体范式的转变。”
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