中国纯晶圆制造商三安集成电路(Sanan IC)宣布与Plextek RFI合作,Plextek RFI是一家总部位于英国的设计公司,专门从事RF微波和毫米波电路设计,作为新兴5G市场中GaAs MMIC设计服务的授权资源。
Plextek RFI最近的设计已经证明了这种伙伴关系,该设计是使用Sanan IC的P15EP10.15μm6英寸GaAs E / D pHEMT工艺在28GHz频谱上单芯片表面贴装封装的4通道5G毫米波功率放大器(PA)。技术。
该参考设计由Plextek RFI在最近在英国贝德福德郡举行的自动射频和微波测量协会(ARMMS)会议上展示和介绍。
Sanan IC首席执行官Raymond Cai表示:“随着5G基础设施市场从6GHz以下扩展到毫米波频谱,相关电信设备的RF前端设计活动自然在增加。“我们很高兴Plextek RFI成为授权的设计服务合作伙伴,以协助我们的全球客户利用RF工程专业知识来扩大其GaAs IC设计和开发资源。我们预计,我们新推出的P15EP1 E / D pHEMT GaAs工艺将在高性能毫米波应用中被广泛采用,特别是在5G领域。”
Plextek RFI首席执行官Liam Devlin表示:“ 5G基础设施的推出对各种需要高性能GaAs IC设计的毫米波RF前端架构和拓扑产生了需求。” “我们很高兴为客户提供创新的解决方案和设计方案,以满足这些要求,正如我们基于Sanan IC GaAs技术的紧凑型多通道功率放大器参考设计所证明的那样。我们希望通过利用其他Sanan IC GaAs工艺并在高性能,高集成度和高质量RF设计方面利用其未来发展路线图来继续取得成功。”
该公司的P15EP1工艺是一种高性能6英寸GaAs pHEMT技术,与E模式,0.15µm栅长晶体管集成在一起,其Ft为85GHz,Fmax为155GHz。该工艺适用于毫米波PA和LNA设计,具有高增益,低噪声系数和宽带宽的特性,并且可以与0.5µm E模式/ D模式器件结合使用,以实现单芯片逻辑。
该技术平台最多可提供3个金属互连层,其中包括12个掩模层,背面研磨厚度为75μm。P15EP1工艺是P15系列GaAs技术的一部分,该工艺可提供其他选择,例如D模式晶体管,用于开关和限幅器的PIN二极管,并将在明年晚些时候以较低的工艺节点进行扩展以提供更高的频率支持。