为了使基于AlGaN材料的深紫外LED能够更广泛地应用于固化、水和空气的净化及医疗消毒等各方面，必须要大幅地降低其成本。
提高深紫外LED的性能和增大单炉产能是实现更低成本的两个关键因素。
与电光转化效率超过70%的基于InGaN材料的蓝白光LED相比，深紫外LED，尤其是UVC LED的效率还有很大的差距。
近日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。
期间，山西中科潞安紫外光电科技有限公司与中微半导体设备（上海）股份有限公司协办的“固态紫外器件技术”分会如期召开。
分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师的胡建正就用于深紫外的MOCVD的设备进行了探讨。
他介绍了紫外LED的应用的应用领域、市场规模，重点对采用的设备进行了介绍。
针对设备方面，他认为HIT3是目前主流的MOCVD的机型，而目前的紫外行业的主要参与者有多家。
Seoul Viosys / SETi、LG Innotek、Crystal IS、Bolb Inc.、Nichia、Nitride Semiconductor、Epitop (Jason)、Sanan。
中微也已经开发了两种量产MOCVD，18片/2寸和4片/4寸。
目前市面上主要采用的紫外设备（高温MOCVD）有以下几种：
带喷头式的Prismo HiT3TM喷头/接收器示意图
目前影响UVC LED器件的发光效率的主要因素：
优质AlN/AlGaN的生长：
蓝宝石：
大晶格与热失配；
氮化铝基板：
非常昂贵，体积小。
高Al%组分的AlGaN的N型掺杂；
高量子效率AlxGa1 xN/AlyGa1 yN MQW的设计：
极化；
很少或没有铟，对缺陷有感觉。
高Al%组分的AlGaN的P型掺杂。
优质氮化铝生产技术路线
AlN在3种不同形貌图形衬底上的外延生长
来源丨中国半导体照明网
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