乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直LED（VLED）。他们使用具有SiO 2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此外，通过KOH湿法刻蚀对VLED的发射表面进行表面纹理处理，提高光提取效率。
沉积的金属化方案会在潮湿的环境中弯曲并分层，这是VLED可靠性的主要关注的问题。在这项发表在《光学快报》上的研究中，研究人员证明，通过在Ag / TiW薄膜周围沉积Pt / Ti保护层来保护界面免受环境湿度的影响，可以提高金属化可靠性。
金属触点吸收的光是LED中光损耗源的一种来源。然而，由于半导体层的非理想导电性，大多数电流拥挤在电极附近，导致在电极焊盘周围的发射局部化。
研究人员表明，通过在p电极下插入SiO 2电流阻挡层可以大大缓解“电流拥挤” 。仿真结果表明，采用SiO 2电流阻挡层时，电流分布更加均匀。
图2.（a）L-LED和V-LED的光学显微镜图像。（b）在具有SiO2 CBL的L-LED，V-LED和V-LED的有源层中模拟的电流密度分布。（c）计算沿（b）中虚线的电流密度分布。
研究人员还利用KOH湿法化学蚀刻技术对VLED的发射表面进行纹理化处理，以提高光提取效率。使用KOH溶液湿法刻蚀后，高度集成的表面纹理包括周期性的半球形凹痕和六边形金字塔。时域有限差分（FDTD）模拟表明，这种表面形态不仅减少了菲涅耳反射，而且使光以较宽的分布向外散射，从而提高了光提取效率。
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