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Bolb公布实现UVC LED单颗芯片功率达250mW

行家说Display · 2019-02-11
Bolb公司在加州旧金山举行的SPIE Photonics West会议上发表的技术报告中,宣布了其高性能UVC LED的进展。Bolb采用自主研发的紫外透明外延技术,在500mA正向电流和5.8V正向电压、265-270nm的优化发射波长下,单颗芯片功率达到250mW。Bolb将采用UVC LED来对多重抗药致病菌(MDR),实现全球范围的消毒。

Bolb公司在加州旧金山举行的SPIE Photonics West会议上发表的技术报告中,宣布了其高性能UVC LED的进展。

Bolb采用自主研发的紫外透明外延技术,在500mA正向电流和5.8V正向电压、265-270nm的优化发射波长下,单颗芯片功率达到250mW。Bolb将采用UVC LED来对多重抗药致病菌(MDR),实现全球范围的消毒。

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