介绍V-Tech的柔性Micro-LED方案的资料很少，这里仅从目前公开报道的一些信息进行解读：
1、该方案采用的是波长385nm的近紫外UVA LED激发荧光体的方案，其UVA LED由另一家日本公司Nitride Semiconductor提供。关于紫外激发、蓝光激发和RGB组合三种方案孰优孰劣的问题，我在上一篇问答中已经做了探讨，这里就不再赘述。
2、根据公开的资料显示，V-Tech采用的是“Partial Selective Laser Lift Off”技术。说白了就是先用激光从蓝宝石背面照射，使特定深度的外延层分解，从而实现与蓝宝石衬底的分离。但V-Tech的技术与一般LLO的不同之处在于，其不是将Micro-LED全部剥离，而只是减弱特定区域的黏合力，这样蓝宝石衬底在转移的过程中仍然可以起到临时基板的支撑作用。这一步的难点在于如何精确控制LLO的深度和力度，使得蓝宝石衬底处于“部分剥离”而不是“完全剥离”的状态。
3、然后是将Flip Chip结构的Micro-LED的焊盘与柔性基板上的凸点进行对位键合，再完全移除蓝宝石基板。从这段描述我们可以大致猜测出V-Tech的转移技术其实应该就是direct bonding，也就是外延片与柔性基板直接对位键合，没有经过中间的选择性巨量转移的步骤。这么做的好处在于制程简单，成本较低，适合于面积较小的应用（譬如可穿戴设备）。
4、下一步是利用光刻的方式制作扇形围坝，在围坝内制作金属反射层，并用脉冲激光移除围坝底部的金属层，只留下围坝侧壁的金属层。这一步的难点在于脉冲激光移除底部金属层的时候，如何控制工艺参数，使得脉冲激光不会损伤到侧壁的金属层及底部的Micro-LED芯片。
5、最后，使用粒子直径为1-3um的无机荧光体填充围坝。这一步的难点主要在于如何精确控制填充的精度。
以上是我从目前公开的少量资料中所做的解读，供您参考。至于其可行性如何，目前不好下定论，但从纯技术的角度来看，的确是一件很fancy的工作，值得点赞。
匿名