兆驰集成：光芯片迎来重要突破
兆驰集成近日传来消息，其CW DFB 激光芯片产品静态性能顺利通过测试，并陆续启动客户送样计划，产品包含70mW/100mW/200mW，主要应用于400G、800G、1.6T高速光模块。
在全球数据中心扩容与AI算力需求爆发的双重驱动下，光通信网络正快速从400G向800G乃至1.6T的代际演进。作为光模块的“心脏”，高速率、高可靠性的激光芯片已成为产业链的关键产能瓶颈与核心价值环节。
继25G以下DFB激光芯片产品陆续通过老化测试验证并出货，近期，兆驰集成的半导体激光芯片又迎来新的重大技术进展——CW DFB 激光芯片产品静态性能顺利通过测试，并陆续启动客户送样计划，产品包含70mW/100mW/200mW，主要应用于400G、800G、1.6T高速光模块。
本次CW系列激光芯片，是兆驰集成继DFB光芯片顺利导入市场之后攻克的又一大技术高地，标志着兆驰集成的技术实力再上一台阶，迈向规模化商业拓展的新周期。
攻克CW光芯片关键工艺
CW激光器即连续波激光器（Continuous Wave Laser），属于纯激光光源芯片，主流为DFB激光器，主要作用是作为外置的连续波光源，为800G/1.6T硅光模块与CPO（共封装光学）方案提供必需光源，市场空间明确且国产替代需求紧迫。
从市场来看，当前国内外高速模块需求急剧提升，作为核心原材料之一的光芯片缺货严重，尤其以70mW/100mW/200mW 为主的CW DFB激光芯片供给最为紧张。
而在供应端，虽众多厂家陆续布局CW激光芯片技术，但由于技术难度较高，尤其是PQ BH掩埋生长技术这一最为艰难的关键工艺，已阻拦了众多行业先行者，并成为判断一家企业是否跻身行业第一梯队的关键指标，这也导致品质优良，性能稳定的CW激光芯片产品产能严重不足。可以说，CW光芯片是在光通信产业链中是战略卡脖子关键环节之一。
兆驰集成此次顺利攻克PQ BH掩埋生长技术，CW系列激光芯片的静态性能也顺利通过测试，且各项指标均达到与主流竞品相当的水平。这一突破，标志其技术能力达到了新高度，更为兆驰集成在光芯片领域实现弯道超车提供了独特机遇。
事实上，自2024年底兆驰集成宣布投资光芯片之后，公司便提出以DFB激光芯片、CW激光芯片、EML三大技术逐步落地的路径图谱。如今，这一路径正在加速兑现。
如25G以下DFB激光芯片作为兆驰集成的成熟产品，近日又传来了新利好。此前，兆驰集成25G以下DFB激光芯片已通过老化测试并陆续小批量出货，近期2.5G DFB激光器芯片进一步成功通过行业最高标准测试，最终凭借稳定的性能、优异的可靠性，成功通过一线头部客户的验证。
CW激光芯片的技术突破，以及DFB芯片取得一线头部客户验证，代表着兆驰集成的产品实现了从“可用”到“可靠”、从“进入市场”到“获得主流认可”、从“优质”到“稀缺”的关键一跃。这不仅为兆驰集成提升出货量与市占率打开了大门，也验证了其从研发到大规模商业化落地的完整能力闭环，为未来更高速率产品的市场推广铺平了道路。
打造全体系的化合物半导体平台
兆驰集成是兆驰半导体旗下运营光通信芯片的主体。当前，兆驰半导体已成为LED芯片产能全球第一、技术行业领先的龙头企业，而LED芯片所依赖的GaN和GaAs材料技术，与光通信芯片所需的InP等化合物半导体技术同根同源。
基于对“化合物半导体材料”与“全波段光芯片技术”的洞察，兆驰半导体近年来坚定地向化合物半导体平台型企业转型升级，而兆驰集成的成长正意味着兆驰半导体已成功将能力边界从照明与显示拓展至技术门槛高的光通信赛道，展现了其技术底蕴与研发体系。
光芯片领域的接连突破，验证了兆驰半导体从LED到化合物半导体的技术迁移能力，但公司的技术规划蓝图并未局限于当前的光通信市场。
基于其成熟的砷化镓和氮化镓材料体系与工艺平台，兆驰的技术开发视野已投向更具增长潜力的广阔应用场景，未来将开发砷化镓9xx nm波段及620nm红光、氮化镓450nm蓝光和520nm绿光激光器，进军工业激光和激光显示市场。
这意味着，兆驰半导体的长期规划是打造一个覆盖光通信、先进制造、智能传感与新型显示等多领域的化合物半导体技术平台，实现技术价值的多元化兑现，并开启属于自己的一个个新周期。
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