7家SiC企业亮相新技术：3.3kV、单管100A等

近日，“行家说三代半”发现，罗姆半导体、基本半导体、方正微电子、至信微电子、爱仕特、澎芯半导体、NoMIS Power等多家SiC企业相继推出新产品，主要集中在SiC MOSFET、SiC 模块上：

罗姆半导体：

推出二合一SiC模块

9月16日，罗姆半导体在官网宣布，他们开发了二合一SiC模压模块“DOT-247”，其不仅保留了广泛采用的“TO-247”封装的多功能性，同时还实现了高设计灵活性和高功率密度，适合光伏逆变器、UPS系统和半导体继电器等工业应用。

罗姆半导体表示，该模块采用由两个TO-247封装组成的组合结构。这种设计能够使用以往TO-247封装难以容纳的大型芯片，并通过独特的内部结构实现低导通电阻。此外，通过优化封装结构，该模块与TO-247相比，热阻降低了约15%，电感降低了约 50%，这使得半桥配置中的功率密度比TO-247高出 2.3 倍，从而以约一半的体积实现相同的功率转换电路。

与此同时，为了适应光伏逆变器对三电平NPC、三电平T-NPC和五电平ANPC等多电平电路的需求，该模块支持半桥或共源拓扑结构，能够灵活地支持NPC电路和DC-DC转换器等各种配置，同时显著减少元件数量和安装面积，与分立元件相比，实现了电路的小型化。

基本半导体：

推出62mm封装SiC模块

9月12日，基本半导体在官微宣布推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块，在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上，通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感，使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。

据了解，该模块采用基本半导体第三代碳化硅MOSFET芯片技术，以及高性能Si3N4 AMB、高温焊料引入和铜基板散热，具备低导通电阻、低开关损耗、高可靠性和高功率密度等优势，杂散电感在14nH及以下，更适用于储能系统、焊机电源、感应加热设备、光伏逆变器等应用领域。

方正微电子：

公布SiC TPAK模块

9月15日，方正微电子在官微透露，他们已推出SiC MOS TPAK模块，专为新能源汽车主驱电机控制器、EVTOL电机控制器、电动船、超级充电站等高端应用需求而设计。

据了解，该模块采用自研自产车规级SiC MOS芯片，芯片关键可靠性项目可轻松通过3000h认证，模块满足AQG-324可靠性标准，实现了单模块内阻Rdson＜3mΩ，电流密度增加了＞50%，其功率容量、性能得到了显著提升，单模组峰值输出功率＞100kW，极大提高系统功率密度。

此外，该模块采用银烧结、铜烧结、Clip、高耐温树脂塑封等先进工艺和氮化硅AMB陶瓷基板，支持高结温175℃运行，还可实现极低热阻≤0.1K/W，并通过系统激光焊接技术和叠层母排设计有效降低了杂散电感和接触电阻，降低损耗、提高效率、改善EMC。

至信微电子：

发布2000V/600A模块

9月12日，至信微电子宣布推出采用ED3封装的2000V/600A高压SiC MOSFET功率模块，采用第三代SiC MOSFET芯片技术，集成了SiC二极管，适用于工业自动化与控制、新能源发电与储能系统、电动汽车及充电设施、高效电源转换与电机驱动等高电压应用。

至信微电子透露，该模块具备更快的开关响应、更高的工作效率、更优的系统可靠性以及更出色的功率转换效率，广泛适用于高频应用场景，并显著提升功率密度，而且在高温环境下具有出色的导通电阻RDS(on)与二极管正向压降(VSD)。

爱仕特：

发布100A级SiC二极管

近日，爱仕特在官微透露，他们已量产推出1200V/100A SiC肖特基二极管，以单管实现百安通流，攻克了传统多管并联的痛点。

爱仕特表示， 他们用一颗直接替代3-4颗较低电流SiC Diode或Si FRD的并联方案，从根源上杜绝了动态与静态均流难题，彻底消除因电流不均导致的局部过热和失效风险。

相比传统多管并联，爱仕特的单管解决方案布局极其简洁，可释放空间，降低设计难度，而且是单点散热，热管理更直接、高效，在高结温下仍能保证出色的电流输出能力，提升系统整体鲁棒性和过载潜力，更适用于车载OBC、超充桩、光伏逆变器等应用场景。

澎芯半导体：

推出Gen-2代SiC芯片

近日， 澎芯半导体在官微透露，他们陆续推出了系列化的Gen-2代MOSFET，电压规格包括650V、750V、900V及1200V，产品已经过全面的可靠性考核，并批量化推出市场。

值得关注的是，经过工艺和设计优化，澎芯半导体Gen-2代比Gen-1代面积减小约25%，将进一步提升产品性价比。

澎芯半导体专注于碳化硅SiC功率半导体器件研发，总部位于浙江绍兴，目前公司已推出了全系列的产品，包括电压平台为650V-3300V的SiC SBD和SiC MOSFET晶圆与封装成品，其2025年6月出货量达256万颗，环比增长35%。

NoMIS Power：

推出3.3kV SiC MOSFET

9月5日，NoMIS Power在官网宣布，他们正式推出首款3.3kV SiC MOSFET，基于1.2kV平面SiC MOSFET技术，导通电阻仅为80mΩ (34 A)，主要应用领域包括电池储能系统 (BESS)、可再生能源转换器、交通电气化和工业电机驱动器。

NoMIS Power介绍，他们采用NoMIS专有的SiC MOSFET架构，将超低导通电阻与高于行业标准的栅极氧化层厚度相结合，这种独特的方法可实现在高达175℃时仍保持较低且稳定的导通损耗与开关损耗，且提高了长期可靠性，并降低了输入电容，从而实现更快、更低损耗的高频开关。

接下来，NoMIS Power还计划在今年继续推出50mΩ（55A）规格，并于2026年推出25mΩ（109A）规格。

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本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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