又有3家企业实现12吋SiC突破

近日，“行家说三代半”发现，又有3家中国台湾的SiC企业/机构透露了12英寸技术进展，他们分别是环球晶、台湾成大、永泉晶圆。可以明确，12吋SiC技术的发展正呈现出多技术路线并行、产学研协同推进的特征，产业链各环节正加速实现规模化突破。

环球晶：

已开发12吋方形SiC晶圆

9月10日，在SEMICON Taiwan 2025国际半导体展现场，环球晶董事长徐秀兰宣布，环球晶已开发出12吋方形碳化硅晶圆。

徐秀兰指出，过去60年来，半导体硅晶圆始终为圆形，相关制造工艺和设备也均基于圆形设计。若改用方形晶圆，不仅需突破制程技术，还须开发新设备，且目前缺乏现成配套。此外，方形晶圆可能无法适配现有晶圆盒，且因碳化硅晶圆具有透光特性，相应的量测技术也需调整。

徐秀兰还表示，目前8吋碳化硅晶圆采用激光切割，而12吋的切割技术尚未成熟。相较于其它缺乏12吋经验的碳化硅业者，环球晶已具备多年12吋硅晶圆生产经验，并在此基础上开发出无需激光的12吋碳化硅切割技术。

据悉，环球晶的前身是中美硅晶制品股份有限公司，2011年，中美硅晶将三大事业体（太阳能、半导体、蓝宝石）独立分割，环球晶圆股份有限公司由此成立。

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台湾成大：

12吋SiC晶圆亮相国际展会

SEMICON Taiwan 2025国际半导体展同期，中国台湾的成功大学智慧半导体及永续制造学院首度参展，并展出了12吋碳化硅晶圆。台湾成大表示，12吋碳化硅晶圆亮相，象征着台湾次世代半导体材料的重要里程碑。

同时，台湾成大晶体研究中心研发的8英寸碳化硅晶锭及6吋碳化硅晶锭也同步展出。据悉，台湾成大晶体研究中心为中国台湾目前唯一拥有超高温（2300℃以上）大尺寸碳化硅晶体生长炉的学术机构。

永泉晶圆：

成功制备台湾首颗12吋SiC晶锭

近期，据永泉晶圆官网消息，其于今年4月成功自行研发并制造出全台湾第一颗12吋碳化硅晶锭，厚度超过11mm。

另据永泉晶圆披露，他们还于2025年8月自主完成12吋长晶炉的设计与整机组装，展现高端设备自主研发能力，并于同月完成试产，确立了量产的可行性。

官网显示，永泉晶圆成立于2018年，已掌握SiC长晶技术、晶种生长、粉末制备、热场（坩锅）制备、纯化技术、长晶炉制备，以及激光剥离、研磨抛光技术到SiC晶锭的制备和销售。

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、浙江晶瑞、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、创锐光谱、西湖仪器、北方华创、科友半导体、九域半导体、国扬电子、凌锐半导体、中电化合物、昕感科技、羿变电气、东尼电子、西格玛、铭扬半导体、瑞霏光电、力冠微、格力电子、芯研科等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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