英飞凌12英寸SiC晶圆亮相？

近日，“行家说三代半”发现，英飞凌已率先透露12英寸碳化硅晶圆技术，与此同时，国内又有3家企业透露了12英寸技术进展。不难发现，12英寸碳化硅技术正在快速发展，并有望赋能AR眼镜（光波导）、AI芯片先进封装（中介层）等前沿应用领域。

英飞凌：

12英寸SiC晶圆亮相

9月5日，据绿芯频道ECC视频透露，英飞凌已成功开发出12英寸碳化硅晶圆，单片晶圆的芯片产出数量将大幅增加，将进一步赋能新能源汽车等领域应用。

值得关注的是，英飞凌此前已实现12英寸硅、氮化镓晶圆技术的突破，其中首批12英寸氮化镓晶圆样品将于2025 年第四季度向客户提供。如今，英飞凌又成功实现12英寸碳化硅技术突破，代表其已同时布局硅、氮化镓、碳化硅三大技术的12英寸制造能力。

“行家说三代半”认为，英飞凌加速布局12英寸碳化硅技术，旨在进一步提升其在新能源汽车等终端市场的竞争力，以满足下游市场对碳化硅“降本增效”的迫切需求。与此同时，AR眼镜（光波导）和AI芯片先进封装（中介层）等领域对12英寸碳化硅技术的需求也日益凸显：

AR眼镜（光波导）：根据Meta公开资料，一片6英寸碳化硅衬底仅可满足2副AR眼镜生产，如果8英寸和12英寸衬底，镜片产出量可翻倍增长，单片成本也有望大幅降低。

AI芯片先进封装（中介层）：据格棋化合物半导体董事长张忠杰透露，英伟达为了提升效能，计划把GPU芯片CoWoS先进封装环节的中介层材料，由硅换成碳化硅。据张忠杰判断，“最晚后年，碳化硅就会进入先进封装。”

国内又有3家企业

实现12英寸SiC突破

值得关注的是，国内又有3家企业在12英寸碳化硅技术上取得重大突破，将有力加速下游器件与终端应用的产业化进程：

科友半导体

9月10日，科友半导体在官微透露，他们依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成功制备出12英寸碳化硅晶锭，实现了从设备到材料的全面自主突破。

科友半导体表示，他们成功制备出12英寸碳化硅晶锭，可大幅提升芯片产出量、显著降低单位成本，将为新能源、通信、AR等战略产业注入更强发展动力。

连科半导体

8月27日，据连城数控官微透露，他们旗下连科半导体采用中宜创芯提供的7N高纯碳化硅粉体，依托完全自主研发的12吋碳化硅长晶炉及其热场，成功生长出高品质12吋（304mm）碳化硅晶锭。

连科半导体总经理胡动力博士表示：相比于传统的6吋和8吋衬底，12吋碳化硅衬底在生产效率和成本效益上有明显的优势，12吋SiC不仅能显著提升器件单位面积的产出效率，还将成为AR眼镜的最优选择。

晶飞半导体

9月8日，据晶飞半导体官微透露，他们成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离，并且该技术此前已在6/8英寸碳化硅领域已通过多家客户验证。

晶飞半导体表示，12英寸碳化硅激光剥离技术的成功开发，不仅解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈，还打破了国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断，将助力碳化硅器件在新能源汽车、可再生能源等领域的应用。

盘点12英寸SiC进展

已有22家厂商布局

据“行家说三代半”统计，截至目前，已有22家企业公布了12英寸碳化硅技术进展，除了英飞凌外，其余皆集中在衬底及设备领域：

全球12英寸碳化硅技术进展，来源：行家说《第三代半导体产业季度内参》

衬底端：天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光半导体、合盛新材料、浙江晶瑞、晶驰机电等厂商相继展示了12英寸SiC晶锭和衬底，包括导电型衬底、高纯半绝缘衬底、光学级衬底、热沉级衬底、多晶衬底。

设备端：大族半导体、西湖仪器、天成半导体、晶驰机电、天晶智能、力冠微电子等厂商相继公布了12英寸SiC工艺设备，聚焦长晶工艺、衬底加工等方面。

但从业界反馈来看，8-12英寸的碳化硅扩径和高良率生长，需要粉料、石墨件、籽晶粘接、长晶、切磨抛等耗材和设备企业的技术支持。“行家说三代半”正在进行《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》的调研工作，将聚焦大尺寸单晶生长的工艺突破，欢迎各大企业参与白皮书的编写工作，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、浙江晶瑞、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、创锐光谱、西湖仪器、北方华创、科友半导体、九域半导体、国扬电子、凌锐半导体、中电化合物、昕感科技、羿变电气、东尼电子、西格玛、铭扬半导体、瑞霏光电、力冠微、格力电子、芯研科等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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