兆驰、JBD、赛富乐斯公布Micro LED新专利

行家说Talk · 2025-07-09

近期，兆驰半导体、JBD、赛富乐斯等持续公示Micro LED相关专利进展，涉及外延片制作、芯片结构、量子点技术等，可提升Micro LED光效、波长均匀性、功率等，简化工艺流程并推进商业化进程。

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▋ 兆驰半导体：2则Micro-LED专利进入审中公布阶段

7月4日，江西兆驰半导体有限公司“Micro-LED外延片及Micro-LED”相关专利进入审中公布阶段。实施本发明，可提升光效与波长均匀性。

据介绍，该发明涉及半导体光电器件领域。外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、多量子阱层和P型GaN层。

N型半导体层依次包括第一超晶格层和第二超晶格层；第一超晶格层包括第一Si掺GaN层、Si3N4层、第二Si掺GaN层和InN湮灭层；InN湮灭层中设有多个孔洞；第二超晶格层包括第三Si掺GaN层和AlInGaN层；第一Si掺GaN层、第二Si掺GaN层的Si掺杂浓度小于第三Si掺GaN层的Si掺杂浓度；第三Si掺GaN层的Si掺杂浓度≥1×1019cm-3。

7月1日，“绿光Micro-LED外延结构及其制备方法、绿光Micro-LED”专利进入审中公布阶段。实施本发明，可提升光效与波长均匀性。

据介绍，该发明外延结构依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、电子传输层、多量子阱层和P型GaN层；电子传输层依次包括第一子层、第二子层、第三子层、第四子层、第五子层和第六子层。

第一子层包括交替层叠的非掺杂含Al氮化物层与Si掺含Al氮化物层；第二子层、第三子层、第四子层均为C、Si共掺杂的含Ga氮化物层，第五子层为Si掺AlGaN层，第六子层包括交替层叠的Si掺GaN层和InGaN层；第二子层、第三子层、第四子层的Si掺杂浓度均大于Si掺含Al氮化物层的Si掺杂浓度；第二子层、第三子层、第四子层的Si掺杂浓度分别大于其C掺杂浓度。

▋JBD：3则Micro LED专利有进展

7月4日，上海显耀显示科技有限公司三则Micro LED相关专利均进入审中公布阶段，如下：

其中，“Micro LED芯片及微显示器件”专利采用包含重复堆叠的量子垒层和量子阱层的发光层，量子阱层表面具有多个纳米凸起，能够有效抑制侧壁损伤对Micro LED带来的不利影响。

“Micro LED芯片及其像素级光学整形镀膜方法”涉及镀膜技术领域。本申请提供的像素级光学整形镀膜方法，能够减少甚至消除Micro LED芯片表面膜层的内部空洞，在后续工艺中对目标膜层加工出Micro LED芯片表面的微透镜后，能够提升微透镜的外观均匀性和亮度，降低色差异常现象，提升透镜效果和亮度。

“一种微发光二极管显示芯片及其形成方法”涉及微显示技术领域。本发明通过精确控制底部导电层的第一表面、突出部的第二表面以及发光台面的底部表面的粗糙度，有效地增强了底部反射层对发光台面发出光线的反射效率，从而显著提升了Micro LED阵列的正面出光效果。

▋赛富乐斯：公布2则Micro-LED进展

7月8日，西安赛富乐斯半导体科技有限公司的“高效率Micro-LED量子点色彩转换层及其制备方法”专利进入审中公布阶段。

本发明公开的高效率Micro LED量子点色彩转换层及其制备方法。本发明通过对纳米孔表面的量子点进行氧化处理，使表面形成一种氧化膜，其作为物理屏障可以有效阻隔环境中的氧气和水分渗透，还可以保持纳米孔结构的完整性而不影响光提取效率，这一突破性技术为量子点在高端显示领域的商业化应用提供了关键解决方案，有望推动量子点显示技术的大规模产业化进程。

7月1日，赛富乐斯“增强发光效率的Micro-LED芯片结构”的专利进入审中公布阶段。

本发明公开包括驱动背板以及显示模组，驱动背板与显示模组通过键合方式结合在一起，再通过阳极触点实现电连接，显示模组包括倒梯形像素发光台面，倒梯形台面结构增大了顶部出光面积、降低了全内反射，利于光线的逸出；台面侧壁沉积双层无机膜夹高反金属结构，缩小发光角度、增强光线逸出的同时实现光学串扰隔离；台面顶部设置双层微透镜结构，汇聚光线的同时内层材料、外层材料与空气实现折射率递减变化，减少光的反射，从而可以提高从微透镜发射光线的透射率，进而提高Micro LED结构的发光效率。

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