成本下降99.6%！4家SiC企业公布最新技术成果

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、浙江晶瑞、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、创锐光谱、西湖仪器、凌锐半导体、中电化合物、昕感科技、羿变电气、东尼电子、西格玛、铭扬半导体、瑞霏光电等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

近日，深圳平湖实验室、中国台湾国研院国仪中心、中宜创芯、艾恩半导体公布最新技术成果及设备进展，主要涉及SiC材料、SiC晶圆制程、SiC粉体纯度、SiC离子注入机：

深圳平湖实验室：

SiC激光剥离技术获突破，良率达100%

7月8日，深圳平湖实验室宣布，他们在SiC激光剥离技术领域取得新进展，并于2025年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。

早在2024年12月，该实验室就使用国产的全自动化激光剥离系统，实现激光剥离单片总损耗≤120μm，单片切割时间30min，达到国内领先水平。如今，通过整理激光剥离衬底加工后面型数据发现，激光剥离衬底的面型数据整体优于行业水平。同时，在外延验证方面，激光剥离SiC衬底与Baseline衬底在有效利用面积、均匀性、缺陷密度、表面粗糙度等参数上整体相当，甚至还略优。

深圳平湖实验室表示，这一技术的突破，意味着我国碳化硅产业在关键技术及设备上实现了自主可控，保障了供应链安全，降低了对外依赖风险，工艺成熟可靠，可快速实现产业化。

台湾国研院：

开发SiC激光研磨技术，供应安森美

近期，中国台湾国研院国仪中心官宣与鼎极科技合作，共同开发应用于碳化硅晶圆研磨制程的关键技术“红外线纳秒雷射”，从而解决碳化硅晶圆制程遇到的成本、效率与良率瓶颈。据介绍，此技术可将每片晶圆的研磨时间从3小时缩短为2小时，且不会造成晶圆损伤，晶圆破片率可自5%降至1%，大幅提高产品良率。

同时，该中心指出，透过此技术，将能减少研磨造成的晶圆损耗，也将显著降低传统研磨所需的钻石砂轮、水、油等耗材与机台清洗等维护成本，裸晶圆的研磨耗材成本可自每片23美元降至0.1美元。由此推算，单片裸晶圆的研磨耗材成本可降低99.5%。此外，该技术还有另一优点：可将碳化硅晶圆的硬度由原本约3000 HV降至60 HV，显著降低后续加工的时间和成本。

目前，该技术已通过与鼎极科技的合作落地转化。鼎极科技还表示，安森美的捷克厂适逢扩厂，鼎极科技将与之强强联手，从今年开始至2027年合作，进行技术验证，从Beta-site测试开始，力拼试量产、甚至量产。

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中宜创芯：

SiC粉体纯度突破8N，正品率增至85%

6月20日，中宜创芯宣布成功将碳化硅粉体纯度突破8N，提升至8N8（99.9999998%）。于业界而言，这一突破意味8N的碳化硅粉体纯度登顶全球碳化硅粉体纯度塔尖，标志着我国在高端半导体材料领域实现重大突破，为芯片产业自主化注入强劲动力。

为完成此次突破，中宜创芯改变传统碳化硅破碎方式，引进国内行业首台新型无污染碎料装置，并采用先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术，不断优化研发流程，不仅将碳化硅粉体纯度提升至8N8，还将正品率由55%增至85%，彻底攻破行业“卡脖子”难题。

在实际技术应用方面，中宜创芯已成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶晶锭；中宜创芯的碳化硅粉体还顺利通过了三安光电的产品验证。产能方面，中宜创芯一期500吨碳化硅半导体粉体生产线已顺利达产；二期工程将于今年年底建成投产，实现2000吨年产能目标。

艾恩半导体：

SiC离子注入机通线投产，一代产品已面市

近日，据“艾恩半导体”官微消息，其位于山东济南的碳化硅离子注入机产线已正式通线投产，将有力助推第三代半导体产业补链强链。对此，艾恩半导体总经理钟新华表示，公司自主研发制造的第一代碳化硅离子注入机已经推向市场，正在由芯片制造厂商进行验证。

据了解，艾恩半导体的长寿命离子源研发成果已达到国内先进水平，离子注入机多款机型的性能指标与国际领先差距正不断缩小。除已推向市场的第一代碳化硅离子注入机外，其对标国际领先技术水平的第二代碳化硅离子注入机正在紧锣密鼓的研发过程中，有望于今年9月面市。在新品方面，钟新华还指出，“由艾恩半导体自主研发制造的碳化硅大束流离子注入机，预计将于今年年底推向市场。”

官网显示，艾恩半导体成立于2023年2月，由资深创始团队和国有上市创投公司鲁信创投共同出资设立，专注于半导体核心关键装备离子注入机的研发、设计、生产、销售和服务。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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