纳微：开启8英寸GaN晶圆量产计划

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7月1日，纳微半导体宣布他们已与力积电建立战略合作伙伴关系，正式启动并持续推进8英寸硅基氮化镓技术生产。

文章透露，纳微半导体预计将使用位于台湾新竹竹南科学园区的力积电8B厂的8英寸产线。该工厂自2019年起投入运营，支持从微型LED到射频氮化镓器件等多种高产能氮化镓制造流程。

接下来，力积电将为纳微半导体生产100V至650V的氮化镓产品组合，以满足48V基础设施（包括超大规模 AI 数据中心和电动汽车）对氮化镓日益增长的需求。

首批器件预计于 2025 年第四季度完成认证。其中，100V 系列计划于 2026 年上半年在力积电率先投产，而 650V 器件将在未来 12-24 个月内从纳微现有的供应商台积电逐步转由力积电代工。

对此，纳微宽禁带技术平台高级副总裁 Sid Sundaresan 博士表示，力积电具备先进的180nm CMOS工艺能力，在180nm工艺节点上进行8英寸硅基氮化镓的生产，使他们能够持续创新，实现更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同时提升成本控制、规模化能力和制造良率。

力积电总经理暨董事朱宪国透露，力积电与纳微半导体在硅基氮化镓技术上已有多年合作经验，如今产品认证即将完成，量产在即。力积电将以此为基础，继续扩大合作，坚定支持纳微探索并拓展氮化镓市场。

据官网透露，力积电是一家位于台湾的半导体代工厂，提供包括代工、设计、制造和测试在内的全方位服务，拥有2座8英寸、4座12英寸晶圆厂，2024年营收为447亿元新台币（约合人民币111.75亿元）。

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“行家说三代半” 发现，过去纳微半导体主要与台积电合作，借助其 6 英寸产线进行氮化镓芯片的生产。如今，纳微半导体转向 8 英寸产线，这一举措不仅能扩大产能规模，还在提升生产效率的同时，有望进一步降低成本，可以更好地满足下游市场的需求。

事实上，如今氮化镓器件与硅器件相比，在价格竞争上优势并不明显，除了转向大尺寸晶圆外，部分氮化镓厂商也会在关键制程设备采购上转向国内供应商，以实现降本增效。

据调研发现，过去用于生长氮化镓外延层的MOCVD设备，国内氮化镓厂商主要向Veeco、爱思强等国外企业采购，但如今有部分厂商已逐步将目光投向国内的MOCVD设备供应商：

北方华创

7月1日，据北方华创透露，他们自主研发的GaN MOCVD外延设备——Satur N800已进入国内多家化合物半导体客户端，顺利通过芯片验证并稳定运行，实现批量出货，并不断获得重复订单。

据了解，该设备面向8英寸硅基氮化镓功率器件的特殊需求设计，具备大面积均匀温度场、大范围稳定可调气流场，以及多片式（Batch）大产能和自动化配置，能够满足化合物半导体先进器件对外延层组分、厚度和掺杂均匀性的高要求。

先为科技

6月，先为科技透露其首台 GaN MOCVD BrillMO外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。

据了解，该设备运用特有的温场和流场设计，不仅能实现高质量的成膜效果，而且在产能上表现卓越，能够大幅提升生产效率，同时有效降低了使用成本，提供优异的GaN外延加工解决方案。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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