投资7亿元！又有2条GaN产线启用

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体、聚能创芯、铭扬半导体、镓宏半导体、镓未来、氮矽科技等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

6月26日，新加坡氮化镓半导体技术转化创新中心（NSTIC（GaN））在新加坡举行开幕仪式，宣布该中心正式启用。

据介绍，新加坡氮化镓中心由新加坡科技研究局、国防科技研究院，以及新加坡南洋理工大学共同成立。2023年，新加坡政府拨出1.23亿新加坡元（约7亿元人民币）来支持这个项目，用于设立生产线和支付人力开销等，拨款为期五年。

新加坡人力部长陈诗龙在现场表示，新加坡氮化镓中心将协助新加坡在氮化镓半导体领域抓住机遇，使其成为少数能够生产先进半导体来满足未来通信需求的国家。

据透露，该中心也是新加坡首个能够同时拥有6英寸碳化硅基氮化镓和8英寸硅基氮化镓晶圆生产线的基地，能够服务于从普通消费产品到先进的卫星通信系统等一系列应用。其中的6英寸碳化硅基氮化镓将应用于射频领域，8英寸硅基氮化镓将应用于功率领域。

另对于射频氮化镓器件市场的规模，陈诗龙明确，“从2022年到2028年，全球射频氮化镓器件市场预计将翻一番，达到27亿美元（约193.53亿元人民币）以上”。

新加坡人力部长陈诗龙（中）在开幕式现场参观新加坡氮化镓中心的洁净室。

同时，开幕仪式现场还签署了几份谅解备忘录和研究合作协议。其中一份便是新加坡氮化镓中心、DSO国家实验室和当地碳化硅外延企业WaferLead之间的合作，旨在开发高质量的碳化硅外延。

据“行家说三代半”了解，WaferLead成立于2019年2月，于2023年初在新加坡启动了SiC外延代工业务，并于2025年5月成立新加坡首条工业级200毫米碳化硅晶圆开放式研发产线。

新加坡氮化镓中心位于纬壹科技城的Innovis大厦中心，具备先进节点处理（node processing）技术，能够支持低于0.1微米至超过100千兆赫（GHz）的频段。该中心目前正与八个伙伴合作使用技术，并规划将从2026年年中开始，在本地提供商业生产代工服务，加速产品开发和验证，从而更快把产品推出市场。

随着新加坡氮化镓中心的启用，氮化镓在全球市场的渗透率将进一步加强。想要了解全球氮化镓产线建设，请扫描下方二维码关注《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，白皮书将于8月14日在“新型功率半导体与新能源应用高峰论坛”现场发布，敬请期待！

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

其他人都在看：

8吋SiC项目获批，预计获1.8亿补贴

新增3个GaN项目，或将建设8英寸产线

SiC AR眼镜迈入量产节点，天科合达提供6大助力

行家说三代半 向上滑动看下一个

行家说三代半 写留言

,选择留言身份