4企公布Micro LED新专利

行家说Talk · 2025-05-30

近期，雷曼光电、数字光芯、易芯半导体、浪潮华光等企业持续公示Micro LED相关专利进展，涉及芯片制成、外延片结构、巨量转移技术等，致力于提高Micro LED光效、光色、功率、稳定性等。

■ 雷曼光电：倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途

5月27日，深圳雷曼光电科技股份有限公司、惠州雷曼光电科技有限公司“一种倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途”的相关专利进入有效授权阶段。

本发明涉及一种倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途。本发明提供的倒装Micro LED全彩量子点芯片，可以在单个LED芯片上形成红蓝绿的发光结构，无需设置RGB阵列，可大幅巨量转移效率和良率；单颗芯片不仅可以完成全彩发光，而且还节省晶圆面积和芯片成本，有利于下游企业大规模生产；附加量子材料可使芯片的显示效果不受电流的波动而受到影响。

本发明通过在所述倒装Micro LED全彩量子点芯片中，设置三个负极和一个公用正极，可在一个芯片上实现红、绿、蓝单独光色发光，或两种光色同时发光，或三种光色同时发光的效果，实现发光光色可调。

■ 数字光芯：基于沟道、接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的micro-LED及其制备方法

5月16日，湖南大学、北京数字光心集成电路设计有限公司“一种基于沟道、接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的microLED及其制备方法”的发明专利进入审中公布阶段。

本发明的制备方法，一方面，通过光刻定义互连和源漏电极区后沉积简并态厚层氧化铟锡，将MOS结构源级与microLED单元高台面的P电极互联实现串联。最终，通过栅极来控制发光单元的开关，实现原位驱动，由于工艺上的兼容性因此省去了传统的键合过程，大大简化制备流程降低生产成本。

另一方面，采用控制厚度的方法制备出薄层的非简并态氧化铟锡半导体沟道和厚层的简并态氧化铟锡接触电极，实现低接触电阻的高电流MOS驱动单元。

■ 易芯半导体：Micro LED芯片的批量转移方法及应用

5月13日，苏州易芯半导体有限公司“Micro LED芯片的批量转移方法及应用”的专利进入审中公布阶段。

所述Micro LED芯片的批量转移方法包括：提供第一基板，所述第一基板上设置有多个六边形Micro LED芯片；利用激光选择性地使至少一个所述芯片与第一基板分离，并结合到第二基板上。

与现有技术相比，本申请在MicroLED制造过程中使用六边形MicroLED芯片，既可以降低侧壁占整体芯片的比例，也可以降低激光转移时的难度，从而显著提升MicroLED巨量转移的精度和良率。

■ 浪潮华光：一种能够控制出光角度的Microled芯片制备方法

5月9日，山东浪潮华光光电子股份有限公司“一种能够控制出光角度的Microled芯片制备方法”专利进入有效授权阶段。

本发明属于光电子技术领域。本发明的焊盘为圆环状的圆环电极，通过圆环电极四周注入电流，通过ITO导入到环内的MQW层，从而产生发光，因环形电极及四周DBR层的限制，使光线集中于圆环出射，通过改变圆环的形状、材料可进一步改变出光角度，相较于正面出光的Micro芯片，本发明进一步缩小了出光角度，降低了对相邻像素的混光影响，本发明适用于RGB颜色的发光芯片。

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