长飞先进：武汉SiC基地已投产，年产能达36万片

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5月28日，长飞先进在官微透露，当天上午湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林一行莅临长飞先进武汉基地，察看碳化硅晶圆生产线，并见证基地首片晶圆生产下线。

长飞先进表示，随着首片晶圆从生产车间成功下线，标志着总投资超200亿元的长飞先进武汉基地正式投产，也意味着年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地将全面进入量产倒计时。

文章进一步透露，长飞先进武汉基地坐落于东湖高新区光谷科学岛。项目自2023年9月1日正式破土动工以来，不断刷新施工“进度条”，从打下第一根桩到实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月，创造了百亿级投资超大项目建设新速度。

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目前，武汉基地已全线配备6/8英寸兼容设备，对标国际碳化硅器件大厂；同时构建了完善的工艺流程和完整的工艺平台，可提供全面的工艺开发与技术解决方案；并建成全自动化天车搬运工厂(Auto3)，可实现生产资源的高效利用，最大化发挥制造效率。

长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹在接受媒体采访时表示，“该基地可年产36万片6英寸碳化硅晶圆，达产后每年可为144万辆新能源车供应“心脏”。此外，该项目已带动相关设备厂商、上下游企业共20多家在周围布局，基地也与同在光谷的九峰山实验室、华工科技开展研发等多领域合作。”

长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚透露，“尽管刚投产，我们首款芯片的良率已达97%，处于国际先进水平。这得益于基地在全球率先部署了A3级别天车系统，可实现自动生产、自动搬运和自动派工，大大降低了人工干扰。在1.2万平方米的车间内，仅需20多人即可保障生产线顺利运转。”

目前，武汉基地已与全球头部车企广泛合作，下月即将上车测试一款碳化硅芯片，共有近10款正在验证，未来数月将开启量产交付。

官网介绍，长飞先进是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。公司拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统，可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品，广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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