新增13起GaN订单/合作，Al应用成聚焦点

插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

近日，“行家说三代半”发现，国内外多家氮化镓企业纷纷宣布最新订单与合作进展，这表明氮化镓技术的市场渗透速度正在加快，推动下游应用向高效能、低功耗方向转型升级：

芯干线：

获得多个一线品牌订单

4月17日，芯干线在官微透露，他们今年一季度在AI算力基础设施、消费电子快充、高端音响电源及商用储能领域连破壁垒，成功打入多个全球一线品牌供应链：

● Al服务器：芯干线自主研发的 700V增强型氮化镓功率器件及1200V碳化硅MOSFET，经过21年到24年近三年的从器件单体到系统集成等多轮多环境测试，顺利通过某全球某一线AI服务器品牌系统商的可靠性验证，预计在25年第二季度正式接单量产。

● 消费电子：芯干线为某全球一线手机品牌定制的45W氮化镓PD快充方案Q1实现规模化量产，该方案集成了700V增强型氮化镓功率器件，通态电阻150mΩ。

● 专业音频：芯干线针对高端音响功放开发的氮化镓电源方案，已通过国际一线品牌的认证并实现量产。

● 储能：芯干线为国内某头部商用储能企业定制的1200V全碳化硅模块，于Q1正式投产。

接下来，芯干线计划将研发投入提升至营收的25%，重点突破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案，目标是在新能源汽车功率半导体市场实现从0到1的突破。

罗姆半导体：

达成Al服务器电源合作

近日，罗姆半导体在官网透露，他们的 EcoGaN™ 产品 650V TOLL 封装 GaN HEMT 已被日本领先的电子元件、电池和电源制造商村田制作所旗下的村田电源公司用于AI 服务器电源。

具体来看，村田电源公司用于AI服务器的5.5kW输出电源装置采用了ROHM的GaN HEMT，实现了低损耗运行和高速开关性能，有助于实现电源的高效运行和紧凑尺寸。该电源装置预计于2025年开始量产。

村田电源技术研究员 Joe Liu 博士表示， GaN HEMT 的高速开关操作、低寄生电容和零反向恢复特性最大限度地减少了对开关损耗的影响，从而可以提高开关转换器的工作频率并减小磁性元件的尺寸。因此他们在开发的AI服务器的5.5kW电源装置中采用氮化镓器件并取得了良好的效果。今后，他们将继续与罗姆半导体合作，提高各种电源的效率。

英诺赛科：

与长城电源达成合作

4月10日，英诺赛科在官微透露，长城电源已在其面向 AI 数据中心的钛金级电源中采用英诺赛科氮化镓 (InnoGaN) 技术，实现了 96% 以上的超高电源转换效率，超越全球最高80PLUS 钛金级能效标准。

据了解，英诺赛科推出了针对高能效服务器电源应用的E-GaN功率IC（ISG612xTD SolidGaN），其采用To-247-4封装，集成栅极驱动和短路保护，耐压700V，Rdson 范围为 22~59mΩ。该系列产品集成精密Vgs栅极驱动器，具备快速短路保护和出色的热性能，能够满足 Titanium Plus 效率的高频开关，相比传统方案，功率密度提高一倍以上。

长城服务器电源采用了英诺赛科合封芯片 ISG6122TD和ISG6123TD，与传统电源相比，其轻中载电能损耗可减少至少30%，在20%-50%典型负载区间较传统电源提升达4个百分点，实现了超过96%的转换效率。

目前，英诺赛科已与行业众多数据中心厂商展开合作，开发了完备的产品与方案，未来将推动实现全链路氮化镓数据中心系统，助力数据中心节能降碳。

纳微半导体：

实现多起GaN订单/合作

今年一季度以来，纳微半导体在官网公布了多起氮化镓订单及合作进展：

● 纳微&戴尔：2月5日，纳微半导体宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。

● 纳微&长城电源：4月3日，纳微半导体宣布搭载GaNSense™技术的GaNFast️™氮化镓功率芯片进入长城电源的供应链，成功助力其打造AI数据中心专用的超高功率密度2.5kW模块电源。

● 纳微&兆易创新：4月8日，纳微半导体与兆易创新科技集团股份有限公司正式达成战略合作伙伴关系，通过将纳微半导体高频、高速、高集成度的氮化镓技术与兆易创新先进的高算力MCU产品进行优势整合，打造智能、高效、高功率密度的数字电源产品。

此外，纳微半导体还透露，他们的高功率旗舰GaNSafe™氮化镓功率芯片已通过AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证，标志着其氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。

IQE&X-FAB：

签署GaN Power开发协议

4月10日，IQE在官网公布，他们与X-FAB签署了GaN Power联合开发协议，将利用可扩展的外包制造模式开发市场化的 GaN 功率平台，以创建基于欧洲的 GaN 功率器件平台解决方案。

具体来看，IQE 和 X-FAB 将合作开发一款 650V GaN 器件，初始合作期限为两年。该协议将利用 IQE 的 GaN 外延设计和工艺专业知识，以及 X-FAB 成熟的技术开发和器件制造能力，为汽车、数据中心和消费电子应用提供优化的技术-基板组合。

IQE 临时首席执行官兼首席财务官 Jutta Meier表示， 他们很高兴能与 X-FAB 携手合作，在欧洲开发世界一流的 GaN 功率代工解决方案，为无晶圆厂客户提供外包选择。凭借IQE 在 GaN 外延领域的专业知识以及近期对新增 GaN 产能的投资，该协议与 IQE 的 GaN 多元化战略相契合，不仅扩大了客户范围，还加快了 GaN 功率应用的上市时间。

冠亚半导体：

与NTT集团子公司达成合作

4月10日，台亚半导体与旗下公司和亚智慧、积亚半导体等共同举办联合法人说明会，向投资人报告各家公司未来营运概况。

针对氮化镓业务，台亚董事长李国光告知在2024年由台亚分割成立负责生产8吋GaN产品的子公司-冠亚半导体，已经也与日本NTT集团旗下子公司NTT Advanced Technology Corporation (NTT-AT ) 签署合作备忘录。

未来三年，将由冠亚半导体提供NTT-AT所需要的各类氮化镓器件，用于开发制造相关的功率模组，而冠亚将采购NTT-AT所生产的高品质外延片，用于6吋及8吋氮化镓D-mode及E-mode器件生产，以建立彼此策略合作伙伴关系。

皇庭国际&芯茂微电子：

达成GaN战略合作

近日，深圳市皇庭国际企业股份有限公司在官微宣布，他们与深圳市芯茂微电子有限公司成功达成战略合作。

根据协议，皇庭国际与芯茂微电子将建立“互为战略客户”的创新合作模式，在电源芯片代理销售、大功率氮化镓器件联合开发两大领域建立深度战略合作伙伴关系，共同推动电源芯片及第三代半导体产业发展。

官网资料显示，皇庭国际创建于1983年，是在深交所A+B股上市的以“高新科技+商业管理”双主业为核心的规模化、现代化、集团化企业。

在功率半导体领域，皇庭国际依托已经投资的德兴意发功率半导体公司，聚焦和深耕功率半导体器件，打造涵盖功率半导体器件设计、晶圆制造、先进封装为一体的IDM公司，包括但不限于硅基MOSFET、IGBT、GaN MOSFET、SiC MOSFET等。

Wevis：

获得印度最大国防公司的订单

近日，据韩国每日经济网报道，专注于氮化镓射频半导体的公司Wevis宣布，他们已获得印度最大国有国防工业公司的高功率氮化镓半导体代工工艺订单。

据了解，签署订单的客户是印度国防部下属的一家大型国防工业公司，是印度武器系统（包括雷达、通信和电子战设备）研发领域的领导者。他们订购的芯片将安装在能够探测短程和中程空中威胁的主动多功能防空雷达系统中。该系统具有扩展至多种武器系统的能力，并且未来还可以扩展到其他项目。

Wavis是韩国第一家成功在国内生产氮化镓射频半导体芯片的公司，于2021年进入印度国防工业市场，并于2024年10月在韩国KOSDAQ（创业板）市场上市。在获得以上订单之前，Wavis还曾获得印度铁路通信基础设施的氮化镓射频半导体订单。

值得注意的是，今年2月，Waybis还与木浦国立大学达成合作，双方将联手推出韩国首个基于GaN(氮化镓)的多项目晶圆(MPW)服务。通过该协议，Wayvis 将首次在韩国通过化合物半导体中心提供 GaN MPW 服务，从而支持半导体研究人员进行独立设计和生产，而无需依赖海外资源。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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