从实验室到产业链，解码华引芯HICSP与C²OX的创新生态闭环

近期，华引芯继在国际知名期刊《Nature Communications》（影响因子：14.7）发表半导体微纳制造相关突破性论文后，其应对高集成挑战的碳纳米管（CNT）垂直互联技术最新成果再度登上材料学知名期刊《Carbon》（影响因子：10.5）。

论文刊发

国际知名期刊收录

华引芯前沿方向学术论文发表情况

从顶刊论文的连续突破到创新技术HICSP的量产突围，华引芯以市场需求为牵引，以底层技术为储备的“顶刊论文-专利壁垒-量产方案”硬科技转化链条已形成闭环。

1

需求牵引

——下一代场景的机遇与挑战——

随着Mini-LED向更高分区迈进，热管理、光串扰抑制与巨量检测良率成为行业痛点；ADB矩阵车灯向万级像素演进时，极端温度可靠性与高密度散热需求亟待突破；而光传感融合器件虽在AI领域潜力巨大，但其晶圆级异构键合良率仍有待提升……

ADB智能矩阵车灯

这些万亿级新赛道所面临的挑战，既是技术深水区的“卡脖子”难题，亦是华引芯通过原始创新抢占未来高地的战略机遇。

2

创新驱动

——底层技术的战略储备——

01

CNT 垂直互联与散热的革命性解法

聚焦前沿领域瓶颈问题，华引芯依托与华中科技大学共建的校企联合创新平台，组建高素质研发团队开展关键技术攻关。

在超高密度集成领域，华引芯前沿团队创新开发基于碳纳米管（CNT）的垂直互联架构，将CNT阵列定向生长工艺与HICSP异构集成技术相结合，实现光源与驱动之间电流传输路径的垂直贯通，有效提升其载流与散热能力，不仅为Mini-LED背光的超高分区集成扫清障碍，更为ADB车灯的万级像素化奠定基础。

论文链接：

https://doi.org/10.1016/j.carbon.2025.120087

02

硅工艺 纳米级光电检测与防光串扰

光串扰抑制则是另一大攻坚方向。华引芯前沿团队独家开发硅基防串扰硅墙工艺，在Mini/Micro LED芯片侧壁形成周期性硅墙结构。通过精确调控光波导模式，有效降低相邻像素间的光串扰率，同时大幅提升光提取效率。

华引芯独家硅基防串扰硅墙示意图

针对Mini/Micro LED微尺寸器件巨量检测难题，团队利用深硅刻蚀工艺制备CNT探针卡，有望实现每秒千颗级大阵列MLED的电极参数检测，将坏点率压降至百万分之一。

华引芯深硅刻蚀工艺CNT探针卡示意图

（引用文献：Henley FJ. SID Symposium Digest Technical Papers, 2018, 49: 688–691）

此外，华引芯前沿团队同步推进的新型电子束聚焦方案研发工作，将显著提升芯片制造精度及微纳加工效率；面向新型显示领域开展的量子点色转换技术研究，精准契合Mini/Micro LED超高色域需求……原始创新的多点持续积累，终将带动产业落地的全面蝶变。

通过“C²OX+CSP”双轨战略，华引芯打通从基础研究到产业落地的硬科技转化闭环。既迅速催生出HICSP等命中市场刚需的创新产品，在Mini-LED这类新兴市场开疆拓土；又以专利群矩阵在ADB、AR-HUD、光传感等下一代场景提前卡位，为企业保持核心竞争力注入源头活水。

华引芯全球专利群布局

未来，华引芯将继续深耕高端半导体光源细分领域，坚持“量产一代、储备一代、预研一代”的阶梯式发展策略，为市场带来更具前瞻性的半导体光源技术，推动国产光源从跟随迈向引领，在全球光源领域树立“中国式创新”标杆。

▶ 上篇回顾

HICSP技术降本攻坚：从泰坦军团新品看华引芯如何重构Mini-LED成本规则

关于我们

华引芯（武汉）科技有限公司是一家由海外团队创立，专注于高端光源芯片与光器件研发、封测且拥有多项核心专利技术的国家级专精特新“小巨人”企业，总部位于中国光谷，拥有独立技术研发中心，自成立以来，公司相继承担多个省级重点研发项目。

公司聚集大量高学历科研人才及多年行业龙头厂商工作经验的研发人员组成研发团队，其自主研发的汽车车规、特殊波段、Mini/Micro LED显示光源芯片及其封装器件、半导体光器件的光电性能均已达到世界一线水平，广泛应用于新型显示光源、车载光源、紫外光源、红外光源市场，产品已成功打入国内知名品牌前装车厂，并进入多家显示面板龙头厂商合格供应商列表。

更多信息，请访问公司官网：

www.hgctech-lighting.com

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