这家SiC企业发力：8吋线已建成

最近，日本电装公司（Denso）发布了一则招聘信息，招聘的岗位包括：SiC长晶、切磨抛和外延等，这引起了“行家说三代半”的好奇心，难道他们要在SiC衬底正式发力了？

为此，我们团队花了半个月时间梳理和调研，我们将分4期内容为大家起底Denso公司的SiC技术布局，请关注我们公众号：

第1期：Denso的8吋SiC产线建设进展。

第2期：Denso独特的SiC长晶技术，速度比PVT法快10倍。

第3期：Denso低缺陷SiC籽晶技术，TSD可以下降至1.3个/cm2。

第4期：Denso超高速SiC外延生长技术，号称比传统外延技术快5-10倍。

众所周知，Denso是丰田集团的参股公司，长期雄霸全球汽车零部件供应商的TOP3宝座，他们很早就开展了一系列的SiC技术研究，并且已经量产应用于多款新能源汽车中。

“行家说三代半”梳理发现，Denso已经形成了从SiC 籽晶生长，到SiC 晶锭和外延生长、沟槽栅SiC MOSFET、功率模块以及电机控制器的全产业链关键技术闭环。

丰田集团的SiC产业链技术布局 来源：行家说Research

从最近Denso的动作来看，他们的SiC衬底和外延技术已经不再只是研究层面，而是正在大力投资，推动商业化，这里先为大家介绍一下他们的SiC产线建设进展。

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今年的4月，Denso总裁林信之介在绿色创新基金项目《下一代功率半导体器件制造技术开发》文件中提到，他们正在推进8英寸SiC技术的商业化，整个基金项目的投资金额达到156.97亿日元（约合人民币7.45亿元）。

他还提到，“为了实现 SiC大规模生产，我们的目标是通过使用Denso专有的气体法长晶技术来提高晶体生长速度，从而降低30%的生产成本。”——关于Denso的高温气相法（HTCVD），我们第二期报道将详细展开分析，请关注我们公众号。

“行家说三代半”在日本NEDO的最新文件中了解到，Denso已经完成了6英寸SiC晶圆工艺，8英寸晶圆中试线建设也已基本完成，而且针对8英寸SiC晶圆翘曲已经实现了有效性的对策。Denso认为，他们与欧美竞争对手在8英寸SiC产业化方面几乎是同步的，并没有落后。

Denso的6吋与8吋SiC晶圆线量产时间表

除了内部建设垂直整合的SiC产线外，Denso还会通过与外部厂商的合作，来确保SiC芯片的稳定供应。

Denso的内部与外部SiC供应保障策略

据“行家说三代半”了解，在SiC衬底环节，Denso已经跟Coherent（原贰陆）合资成立一家合资公司；SiC外延方面，Denso与Resonac（原昭和电工）、钮富来合作开发超高速的外延生长技术（我们将另文报道）；SiC芯片制造方面，最近Denso要收购罗姆的部分股权，形成产业整合。

丰田集团的SiC产业链技术布局 来源：行家说Research

鉴于信息的保密性，我们未能找到更多关于Denso的SiC产线投资进度信息，但我们详细，随着他们的SiC技术的不断成熟，他们未来投资力度还会更大。2023年10月，林信之介曾对外宣布，2030年之前Denso要在半导体业务上投资5000亿日元（约合237.5亿人民币），目标是实现新能源汽车业绩的大幅增长。

根据Denso的中期发展计划，他们预计2025年新能源汽车业务的营收到达到1.2万亿日元（约合人民币580亿元），比之前的预期增长20%以上，而2030年该数字会增长到1.7万亿日元（约合人民币860亿元），同比2025年增长140%。

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