总投资近3亿!新增2条SiC产线

第三代半导体风向 · 2024-08-03

近日,国际上的SiC项目建设进程也在加快,日韩2家企业均有相关动作:

● 东海炭素:投资2.6亿建设一条多晶SiC晶圆产线,计划2024年12月完成建设。

● NanoCMS:投资1580万建设的SiC粉料加工厂已完工,于8月开始正式运营。

东海炭素:

建设多晶SiC衬底线

8月1日,据外媒报道,东海炭素株式会社正在加紧将其开发的多晶SiC晶圆材料商业化,并宣布将投资54亿日元(约2.6亿人民币),在神奈川县茅崎市建立1条专用生产线,预计2024年12月完工。

据介绍,东海炭素开发的多晶SiC晶圆,也称为“层压SiC晶圆”,该技术可将多个SiC层或薄膜通过特定的工艺方法结合在一起,形成具有所需特性的复合SiC衬底,最终达到提升性能、减少缺陷以及减少成本等目的。例如,这些多晶SiC的电阻力是单晶SiC的1/5到1/4,有助于降低电力损耗。

为了加速多晶SiC衬底的商业化进程,东海炭素还在今年5月与Soitec建立了战略合作伙伴关系,东海炭素将利用其在多晶碳化硅方面的技术和制造能力去配合Soitec SmartSiC的生产,并计划从2025年开始全面出货、投入量产。

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实际上,针对复合SiC衬底的研发,我国的青禾晶元也取得了较大进展,并已实现了8吋突破——

● 今年4月,青禾晶元宣布突破了8英寸SiC键合衬底制备;

● 2022年6月,青禾晶元投资9.9亿元在天津高新区建设国内首条复合SiC衬底生产线,该产线已于去年5月正式通线,规划产能3万片/年。

值得一提的是,青禾晶元已正式参编《2024碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,将与众多行家企业一起深入剖析碳化硅产业脉络。《白皮书》将于今年12月中旬发布,届时也将深入展示青禾晶元的SiC最新进展和布局。

除了青禾晶元外,合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、东尼电子、科友半导体、长联半导体、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、中电化合物、森国科、清软微视等已正式参编《2024碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,期待更多SiC领域的行家企业加入,共同推进碳化硅半导体产业发展,了解更多详情请扫描海报二维码。

NanoCMS:

SiC粉料加工厂正式运营

8月1日,据韩媒报道,韩国半导体材料公司NanoCMS已于近日完成了新一代半导体碳化硅加工设施的建设,并于本月开始正式运营。

报道称,NanoCMS在今年4月份投资了30亿韩元(约1580万人民币),用于建设功率半导体晶圆材料的加工设施。目前,该公司已经能够通过最新的加工技术高精度地加工碳化硅粉料,新工厂年产能可达180吨。

NanoCMS的一位负责人表示:“我们于上月底(7月)完成了位于忠清南道的2号工厂——碳化硅加工工厂的建设,目标是在8月投入运营。我们将进一步加强我们在碳化硅功率半导体领域的技术,以提高我们在高性能电力电子和半导体市场的竞争力。”

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