软件巨头跨界布局8吋SiC工厂,投资超50亿!

第三代半导体风向 · 2024-06-12

前段时间,韩国首座8吋SiC工厂宣布开工(.点这里.);近日,印度软件巨头也宣布跨界布局8吋SiC,计划投资资金超50亿人民币。

Zoho计划建8吋SiC工厂

已取得Clas-SiC技术支持

6月10日,据外媒报道,印度软件集团Zoho已于近日向当地政府申请开展半导体制造的许可证,目前正在等待批复状态——“我们已经申请了许可证,正在等待政府批准。一旦获得批准,我们将发布正式公告,”Zoho Corp.的联合创始人兼首席执行官Sridhar Vembu表示。

据悉,Zoho计划在该半导体项目上投资7亿美元(约50.7亿人民币),目标制造SiC功率半导体。Zoho正在与苏格兰碳化硅厂商Clas-SiC对接,计划从Clas-SiC获得相关技术支持,以共同建立一个或多个SiC工厂。

具体来看,Zoho的投资预算约为2亿美元,期望州和印度政府再提供5-6亿美元,以资助建造8英寸SiC晶圆厂。届时Clas-SiC将向Zoho提供制造工艺技术,Clas-SiC是全球第一家专门的6英寸碳化硅晶圆代工厂,能够生产碳化硅功率二极管和MOSFET,具有中低规模的SiC产能。

现阶段,印度政府正在努力推动芯片制造业的发展。今年年初,印度政府批准了152亿美元的预算用于多个半导体工厂的建造;据报道,其他向印度政府申请生产碳化硅许可证的公司包括总部位于钦奈的Archean Chemical Industries的子公司SiCSem,以及总部位于美国的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics。

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上海碳化硅大会:

聚焦8吋SiC最新技术

看起来,8英寸SiC的建设和发展比预期更快,为了更好地推动产业的发展,6月14日,行家说将在上海召开“碳化硅大会”。

英飞凌、芯联集成、三安、天岳、合盛、南砂晶圆、普兴、希科、科友半导体、大族半导体、晶微亦微等众多企业已确认出席,并将围绕8英寸碳化硅量产技术等主题,发布最新的技术报告和展示最新产品方案,报名参会扫描下方二维码:

上述碳化硅企业的8英寸进展如下:

▶英飞凌:马来西亚8英寸碳化硅晶圆厂一期工程将于2024年第三季度完工,计划下半年开始生产SiC器件;

▶芯联集成:今年4月8英寸碳化硅晶圆工程批已经顺利下线;

▶三安半导体:湖南项目二期计划今年三季度投产,将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺;

▶天岳先进:8英寸碳化硅衬底已实现批量化销售;

▶合盛硅业:计划今年二季度末实现8英寸衬底片量产;

▶科友半导体:突破了8英寸SiC量产关键技术,8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%,晶体厚度15mm以上;

▶南砂晶圆:正在布局8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目,而且实现了8吋SiC技术新突破,电阻率不均匀性已接近6英寸衬底;

▶普兴电子:解决了8寸衬底应力大、易开裂、外延均匀性及缺陷难控制等难点。

▶希科半导体:实现了国产8英寸SiC衬底上同质外延生长,正式具备8英寸SiC外延片量产能力。

会议临近,请大家抓紧时间报名,“上海碳化硅大会”期待大家的参与。

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