合计投资超7亿!3个SiC项目传新进展
第三代半导体风向 · 2024-06-06
近日,SiC领域新增3个相关项目:
● 瑞能半导体:SiC研发中心落户上海徐汇;
● 思诺世达:SiC外延项目将落户重庆市南川区;
● 富乐华:功率半导体陶瓷基板项目封顶。
瑞能半导体:
研发中心落户上海徐汇
5月31日,瑞能半导体宣布,旗下全资子公司瑞能微澜半导体已签约落地上海徐汇,将定位打造全球运营中心+研发中心。
瑞能半导体主要从事功率半导体分立器件的研发、生产和销售,是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装设计的一体化经营功率半导体企业,该公司重点布局SiC产品线:
●模块项目:2023年7月,瑞能微恩半导体暨瑞能金山模块厂在上海金山区正式投入运营,将生产 SCR / FRD / IGBT /SiC 模块等。
●晶圆制造项目:瑞能微恩投资9.4亿元建设6英寸车规级功率半导体晶圆生产基地,实现年产能12万片,该工厂预计2024年一季度投产。
此外,瑞能半导体还通过投资中电化合物布局SiC衬底+外延材料环节,瑞能半导在中电化合物的持股比例为 1.4663%(投资5000万元人民币)。
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思诺世达:
SiC项目将落户重庆
据“乐创基金”官微消息,4月27日下午,重庆市南川区招商发展中心、思诺世达以及成都市南川商会一行拜访乐创基金,就碳化硅功率半导体项目落户南川区事宜进行了座谈交流。
据悉,该项目计划募资2亿元,投资于功率半导体材料、车规级功率芯片和碳化硅外延制造工厂方向。
此外,思诺世达创始合伙人陈福义还补充了拟落地南川的碳化硅外延及车规级产品的先进性以及与长安汽车合作进度,并表示将尽快实现思诺世达落地南川。
富乐华:
功率半导体陶瓷基板项目封顶
5月31日,马来西亚富乐华功率半导体陶瓷基板项目主体工程的封顶仪式正式启动。
“行家说三代半”了解到,该项目于2023年11月在马来西亚新山举行了开工奠基仪式,项目总投资5亿元,在马来西亚新山建设6万平米的现代化办公楼、生产厂房和支持系统,规划建成 2 条年产600万片 DCB 和 AMB 功率半导体陶瓷载板生产线。
富乐华成立于2018年3月,是一家专业从事功率半导体覆铜陶瓷载板(AMB、DCB、DPC、DBA、TMF)以及载板制作供应链材料的集研发制造于一体的先进制造业公司,载板产品已应用于电动汽车,风力发电,机车牵引系统等领域,销售网络覆盖全球近20个国家。
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