新增4条8吋GaN产线！已购置设备/通线

近段时间，英飞凌、台亚半导体及广州第三代半导体创新中心均在8英寸氮化镓上有新动作、新进展，详情请往下看。

英飞凌：

扩大8吋GaN优势/产能

5月29日，据外媒消息，英飞凌宣布推出两款新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN器件，两款新产品系列均在马来西亚居林工厂及奥地利菲拉赫工厂基于高性能 8 英寸晶圆代工工艺制造，使客户能够在更广泛的应用中使用40V至700V电压等级的氮化镓。

英飞凌表示，他们正在扩大其CoolGaN的优势和产能。新一代高压650V G5 系列适用于消费电子、数据中心、工业和太阳能等应用；中压G3 系列电压等级包括 60V、80V、100V 和 120V 以及 40V 的双向开关 (BDS) 器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。

CoolGaN 650V G5 将于 2024 年第四季度上市，中压 CoolGaN G3 将于 2024 年第三季度上市；样品现已上市。

据“行家说三代半”此前报道，2023年3月，英飞凌以8.3亿美元（约合人民币57.39亿元）收购了GaN Systems，以增强其在氮化镓领域的市场地位。英飞凌功率与传感器系统部门总裁Adam White表示：“英飞凌新一代的CoolGaN系列在高电压和中压下展示了我们的产品优势，并且完全采用8英寸制造，展示了GaN在更大晶圆直径上的快速可扩展性。”

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台亚半导体：

8吋GaN业务让与子公司

5月28日，台亚半导体举行股东会，通过了此前董事会决议将8英寸GaN业务分割的计划，子公司冠亚半导体将承接该业务。

据“行家说三代半”此前报道，台亚半导体GaN业务营业价值约为10亿元新台币（约合人民币2.2亿）；台亚正在逐步打造“亚家军”等集团子公司，预计推动第三代化合物半导体、视觉显示、IC设计等子公司分批IPO上市计划，这次涉及GaN业务的冠亚半导体分割案就是“亚家军”计划的一部分。

冠亚半导体总经理衣冠君透露，台亚半导体氮化镓初期产能建置以6英寸晶圆为主，现已完成第一代650V 150毫欧D-modeHEMT的动态可靠度测试，并送样给国内外客户，并以晶圆代工模式接受订单（冠亚代工）。

冠亚8英寸第1套生产线目前已完成全部设备进机，预计今年第三季度初启动相关器件开发，年底前通过产品验证；所生产的各种规格组件将会使用当地设计公司所生产的驱动芯片，搭配台湾先进BGBM及封装测试公司，生产功率模组及系统进行销售。

广州第三代半导体创新中心：

GaN中试线通线

2023年9月，西电广州研究院宣布，西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心中试线于22日正式通线，具备GaN全流程生产能力。

据悉，中新广州知识城召开了“创芯新时代·湾区新引擎”2023大湾区（广州）第三代半导体产业发展推进大会，并在会上宣布了创新中心中试线正式通线。项目建成后，将具备6-8英寸氮化镓晶圆生长、工艺制备、封测等全流程研发和技术服务能力。

今年4月，西安电子科技大学联合广东致能科技首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，通过调控外延工艺，该GaN外延片不均匀性控制在4%以内，所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%，击穿电压轻松突破2000V。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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