光伏巨头跨界SiC，8英寸产品已下线

前不久，“行家说三代半”报道了格力集团的SiC项目进展及产业布局，值得关注的是，最近还有一家光伏上市企业不仅“跨界”进军SiC领域，而且实现了6、8英寸衬底片的研发生产。

综合《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》数据和最新进展来看，截止目前，全球已有28家企业实现了8英寸SiC单晶生长的研发突破，其中包括18家中国企业。

来源：行家说三代半《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》

3月15日，第三代半导体产业技术战略联盟透露，通威微电子有限公司已正式加入联盟并成为理事单位。据悉，通威微电子成立于2021年9月，是世界500强、全球光伏新能源领域龙头企业通威集团旗下控股子公司，主要从事于第三代半导体（SiC）材料的研发制造。

目前，通威微电子已成功研发出6英寸、8英寸导电型SiC晶体及衬底片，产品主要应用于新能源汽车、光伏发电及储能、直流快充充电桩等领域。其中6英寸衬底片已向下游多家外延客户完成送样验证，验证结果良好，质量指标满足MOS级要求，8英寸衬底片正在进行送样验证。

从左到右依次为6英寸晶锭（衬底）、8英寸晶锭（衬底）

关于通威微电子的SiC项目进展，“行家说三代半”还注意到，成都市双流生态环境局于2023年11月公示了通威新型晶体材料研发中心项目的环评文件，目前已通过审批。

文件表明，该项目建设单位为通威微电子，主要建设内容为租用3300平方米的现有厂房，并依托该厂现有附属配套设施，配置新型晶体材料—SiC衬底片研发试验设备，将设计研发6英寸、8英寸SiC衬底片，从而形成一定规模产量。

该文件还披露了项目的投资总额和产能规划，鉴于需要进一步核实，“行家说三代半”将在调研后公布于《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》。

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如今，通威微电子已形成从粉料合成、晶体生长到衬底加工的完整自主知识产权技术体系，技术成果经国家工业信息安全发展研究中心评价为：具有自主知识产权，总体技术达到国内先进，其中粉料制备技术达到国内领先。

官网资料显示，作为通威微电子的控股方——通威集团成立于1996年10月，是全球光伏行业首家世界500强企业，现拥有300余家分、子公司，旗下上市公司通威股份市值最高超过3000亿元，2023年上半年营收突破740亿元。

在新能源主业方面，通威已成为拥有从上游高纯晶硅生产、中游高效太阳能电池片和高效组件生产、到终端光伏电站建设与运营的垂直一体化光伏企业，形成了完整的拥有自主知识产权的光伏新能源产业链条。

目前，通威旗下永祥股份已形成四川乐山、内蒙古包头、云南保山、四川广元四大生产基地，高纯晶硅年产能超过42万吨，产品99%以上满足单晶需要，部分达到电子级半导体硅材料质量标准，电子级多晶硅出口海外，实现了高纯晶硅“中国智造”。

值得关注的是，2024年2月，保山广播电视台透露云南通威二期20万吨高纯晶硅项目厂区主体装置已实现土建全面完工，进入设备安装调试阶段，预计今年上半年正式投产。

据悉，该项目是全球高纯晶硅领域首个投资过百亿的项目，占地面积为1154.91亩，正式投产后，通威旗下高纯晶硅产能将按规划达到80至100万吨，持续夯实全球高纯晶硅龙头企业地位。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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