8寸SiC下线！还有7家企业在布局...

今年以来，众多企业均在提速布局8寸SiC。

近日，科友半导体首批8寸碳化硅衬底宣布下线，其他在今年内取得突破的企业还包括三安半导体、天成半导体及乾晶半导体等。

科友半导体：

首批8寸SiC衬底下线

昨天（10月16日），科友半导体官微宣布，他们首批自产8英寸SiC衬底于9月份在科友产学研聚集区衬底加工车间成功下线，标志着科友在8英寸SiC衬底加工，以及大尺寸衬底产业化方面迈出了坚实一步。

据悉，科友半导体8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。缺陷控制方面，8英寸晶体微管密度＜0.1个cm-²，位错缺陷密度＜5000个cm-²，晶体质量处于行业领先水平。

据了解，科友半导体成立于2018年5月，企业坐落于哈尔滨市新区，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业。

据”行家说三代半“此前报道，2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通，并进入中试线生产；6月，科友半导体宣布实现了8英寸SiC单晶的量产关键技术突破，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本及装备稳定性等方面取得可喜成绩。

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三安、天成、乾晶等

成功研发出8寸SiC

据《2023年碳化硅（SiC）产业调研白皮书》统计，2023年以来，国内又新增7家8寸SiC企业。

● 东尼电子：8寸SiC获小批量订单

9月18日，东尼电子发布投资者关系活动记录表表示，公司8英寸碳化硅衬底处于研发验证阶段，已有小批量订单，后续将继续注重技术工艺研发，并持续推进验证量产进程。

● 三安：发布8英寸衬底

9月6日，三安半导体发布消息称，该公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。

三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。

● 超芯星：获8英寸碳化硅订单

7月27日，超芯星官微宣布，他们已与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议。

超芯星透露，他们已于2022年成功研制出8英寸碳化硅衬底，未来他们将根据客户的扩产进度，为其提供优质衬底。

● 天成半导体：8寸SiC单晶技术获突破

6月22日，“行家说三代半”在调研中了解到，山西天成半导体实现了8寸SiC单晶技术研发突破。

天成半导体透露，他们这次开发出的8寸SiC单晶直径达到202mm，各项参数指标良好。

● 合盛硅业：8寸SiC研发顺利

5月31日，据合盛硅业官微消息，旗下SiC生产线已具备量产能力；更重要的是，他们的8英寸SiC衬底研发顺利，产品各项指标均处于业内领先水平。

● 乾晶半导体：采用电阻法研制8寸SiC

5月12日，浙江大学科创中心-乾晶半导体联合实验室已成功研制出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片。

值得一提的是，该SiC单晶突破依托的是PVT多段式电阻加热策略。

● 盛新材料：产出8寸SiC

3月14日，据中国台湾媒体爆料，盛新材料已经成功产出台湾首片8寸SiC衬底。

盛新材料董事长谢明凯表示，这是台湾成功试产的首炉8寸SiC，由于台湾SiC供应链在8寸仍未成熟，包括没有8寸的SiC切晶、晶圆厂及元件等产能，所以此次是由台湾以外的伙伴完成首片8寸衬底。

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