这家公司将IPO,已研发4寸GaN单晶

第三代半导体风向 · 2023-07-21

近日,山东一家企业即将IPO,该企业已在4寸GaN单晶方面取得突破,正在攻克6寸技术。

此外,“行家说三代半”还为大家盘点了10个国产氮化镓单晶的项目进展,详情请往下看。

背靠浪潮集团

华光光电已研发4寸GaN单晶

日前,山东华光光电子股份有限公司递交了招股书,准备在科创板上市,目前已快速进展至问询环节。

招股书显示,华光光电拟发行股份不超过2088.22万股,募集5.73亿元资金,用于半导体激光器外延、芯片及器件产业化工程项目。

华光光电成立于1999年,致力于半导体激光器外延片和芯片产业化。IPO前,浪潮光电直接控制华光光电50.96%的股份,为华光光电控股股东,而浪潮光电为浪潮集团旗下孙公司;IPO后,浪潮光电持股下降至38.22%。

值得一提的是,华光光电正借助浪潮华光在LED设备和技术领域优势,向第三代半导体材料方向发展。目前他们已成功研发出4英寸高质量GaN衬底材料,正在进行6英寸GaN衬底的技术研发及转化。

GaN单晶衬底项目

国产进程大盘点

据“行家说三代半”不完全统计,截至目前国内还有10个氮化镓单晶衬底项目。

●珠海方唯成项目

6月29日,珠海市工业和信息化局公布了2023年“创客广东”珠海市中小企业创新创业大赛初赛评审结果,其中入围的包括一个GaN项目。

根据公告,珠海方唯成半导体主导的“氮化镓自支撑衬底项目”成功入围复赛。目前该项目还未披露更多信息,“行家说三代半”将持续跟进该项目进展,敬请关注。

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●国镓项目

今年3月,雅安经济技术开发区管理委员会对外发布了“氮化镓生产基地项目环评第二次公示”。

根据环评报告,该氮化镓生产基地项目建设单位为雅安国镓芯科半导体科技有限公司,总投资金额为3000万元,厂房面积约1500平方米,计划购置两套高压釜及其他配套设备,建成两条单晶氮化镓生产线,以实现年产能单晶氮化镓衬底10000片以上。

●加睿晶欣项目

今年3月,济宁国家高新技术产业开发区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目环评表。

该GaN项目于2019年3月开工建设,总投资15亿元,一期将购置晶体生长炉、大型多线切割机、自动倒角机等先进设备266台(套),形成长晶、切割、抛光、激光剥离等全链条生产线,年生产2英寸氮化镓单晶衬底10万片。

●纳维项目

2021年1月,纳维科技总部大楼建设项目在苏州工业园区正式奠基;2022年8月10日,该总部大楼已顺利完成封顶,完全投产后预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上。

●镓特项目

2022年8月,镓特宣布将在9月将公司总部从上海搬迁至安徽铜陵,届时面积达1.7万㎡ 的铜陵新工厂将成为 GaN 晶圆生产和研发的场所。该工厂将安装氮化镓单晶生产全过程的相关设备,包括用于 GaN 生长的 HVPE 和用于 GaN 晶圆的抛光设备,完全建成后的月产能将超过数千片晶圆。

●稼数项目

2022年6月,安徽镓数公示了其氮化镓单晶衬底项目的环评表。据悉,该项目将分3期建设,一期建设10条氮化镓单晶衬底生产线,二期建设20条氮化镓单晶衬底生产线,三期建设30条氮化镓单晶衬底生产线,三期完全达产后将形成年产18万片2英寸氮化镓单晶衬底的生产能力。

●吴越项目

2021年12月,吴越半导体举行了GaN晶体出片仪式,展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体,该晶体平整度达到1-2um,粗糙度达到0.12nm,达到了世界最高水准。

2020年2月,吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议,在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目,该项目总投资37亿元,主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。

●中稼项目

2021年9月,东莞增补了61个2021年第三批市重大项目,其中包括广东光大的氮化镓项目,总投资额高达44亿元。今年4月,该项目举行了开工仪式,项目主要建设内容为精密半导体设备制造、氮化镓衬底生产线、氮化镓器件生产线等;建成后将生产2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件。

此外,广东光大子公司也有相关进展——2018年2月,东莞中镓半导体宣布,在国内首次试产4英寸自支撑GaN衬底,并计划于同年年底实现常规量产。

●瀚镓项目

2021年8月,根据《瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化》项目的环评公示,上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”。

●中科项目

2021年8月,深圳市中科半导体科技有限公司“氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目”正式签约落户于赣州经开区,总投资金额为2亿元。

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