5条线、1亿颗!合肥新增2个SiC MOS项目
第三代半导体风向 · 2023-06-01
近日,国内外均传来SiC项目新动态,其中2个SiC MOS项目与合肥安巢经开区相关:
● 新签约一个SiC模块封测项目,达产后可实现年产60万只SiC MOS模块;
● 考察团正积极推进一SiC MOS生产线项目落地,达产后可实现年产1亿颗。
国外方面,纳微也宣布启动其SiC外延生产计划。
芯能年产60万颗SiC MOS项目
已签约落户合肥
据”安巢发布“消息,5月29日上午,深圳芯能半导体技术有限公司(以下简称“芯能半导体”)与安巢经开区在合肥市政府签署项目合作协议。
据悉,此次签约项目采用先进工艺,专注于大功率模块封测,主要建设10条IGBT、5条SiC MOS自动化生产线,项目整体建成达产后,预计可实现年产480万只IGBT模块和60万只SiC MOS模块,年营收约15亿元。
今年3月,融和资产宣布通过上海中电投融和新能源投资管理中心(有限合伙)投资芯能半导体,以布局高端功率器件领域。
芯能半导体成立于2013年9月,是一家从事功率半导体IGBT、SiC器件研发、生产、销售的国家级高新技术企业,他们在浙江义乌建有车规级功率模块制造基地,深圳、上海、苏州设有研发中心,专注功率芯片、驱动芯片设计开发近十年。
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芯科SiC MOS项目
或将落户合肥
据“浙江芯科半导体”官微消息,5月6日,合肥市考察团一行12人走访芯科半导体,对芯科的SiC外延核心技术、功率芯片及器件设计成熟技术方案表示认可,双方正积极推动SiC MOS项目的落地。
考察团参观光刻机、离子注入机等芯片制程的核心设备
合肥市人大常委会党组副书记、一级巡视员王文松表示,若芯科“年产1亿颗碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目”落地合肥,将与合肥市新能源汽车、光伏发电等产业集群的定位极为互补,当地产业链上下游企业,都将受益无穷,极具发展潜力。
去年6月,芯科半导体宣布其碳化硅MOSFET功率芯片已通过工信部电子测试认证,并完成了外延片生产制造和功率芯片样品生产,即将进行量产销售。
值得一提的是,芯科于近期完成了A+轮融资,投资方包括中赢创投。本轮融资主要用于产线建设与基建建设。
芯科半导体成立于2021年9月,是一家专业从事SiC外延片、功率芯片及器件类产品研发、设计、销售的IDM公司。2022年芯科半导体已实现数千万元营收,产品得到阳光电源、通威股份、海康、大华、吉利、比亚迪等多个领域头部客户认可。
纳微加强SiC外延建设
已投资约1.42亿人民币
5月30日,纳微官网宣布了其一系列战略制造投资中的第一项,目标加强对GeneSiC碳化硅(SiC)功率半导体的控制,以降低成本、提高收入能力。
据悉,该战略将推进纳微在加利福尼亚州托伦斯总部建立总投资为 2000 万美元(约1.42亿人民币)的 SiC 外延生长设施的落地。
纳微已与爱思强达成合作,将采用爱思强G10-SiC外延反应器。该设备具有6英寸和8英寸外延生长的能力,预计将于2024年完全投入生产。纳微认为,新设施提供的外延生长服务将是关键工艺步骤,可以支持高达 2 亿美元的额外年产量。未来他们还将继续使用第三方供应商进行额外的外延生长、晶圆制造和组装操作。
注:本文来源地方政府及企业官网,仅供信息参考,不代表“行家说三代半”观点。
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