5条线、1亿颗！合肥新增2个SiC MOS项目

近日，国内外均传来SiC项目新动态，其中2个SiC MOS项目与合肥安巢经开区相关：

● 新签约一个SiC模块封测项目，达产后可实现年产60万只SiC MOS模块；

● 考察团正积极推进一SiC MOS生产线项目落地，达产后可实现年产1亿颗。

国外方面，纳微也宣布启动其SiC外延生产计划。

芯能年产60万颗SiC MOS项目

已签约落户合肥

据”安巢发布“消息，5月29日上午，深圳芯能半导体技术有限公司（以下简称“芯能半导体”）与安巢经开区在合肥市政府签署项目合作协议。

据悉，此次签约项目采用先进工艺，专注于大功率模块封测，主要建设10条IGBT、5条SiC MOS自动化生产线，项目整体建成达产后，预计可实现年产480万只IGBT模块和60万只SiC MOS模块，年营收约15亿元。

今年3月，融和资产宣布通过上海中电投融和新能源投资管理中心（有限合伙）投资芯能半导体，以布局高端功率器件领域。

芯能半导体成立于2013年9月，是一家从事功率半导体IGBT、SiC器件研发、生产、销售的国家级高新技术企业，他们在浙江义乌建有车规级功率模块制造基地，深圳、上海、苏州设有研发中心，专注功率芯片、驱动芯片设计开发近十年。

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芯科SiC MOS项目

或将落户合肥

据“浙江芯科半导体”官微消息，5月6日，合肥市考察团一行12人走访芯科半导体，对芯科的SiC外延核心技术、功率芯片及器件设计成熟技术方案表示认可，双方正积极推动SiC MOS项目的落地。

考察团参观光刻机、离子注入机等芯片制程的核心设备

合肥市人大常委会党组副书记、一级巡视员王文松表示，若芯科“年产1亿颗碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目”落地合肥，将与合肥市新能源汽车、光伏发电等产业集群的定位极为互补，当地产业链上下游企业，都将受益无穷，极具发展潜力。

去年6月，芯科半导体宣布其碳化硅MOSFET功率芯片已通过工信部电子测试认证，并完成了外延片生产制造和功率芯片样品生产，即将进行量产销售。

值得一提的是，芯科于近期完成了A+轮融资，投资方包括中赢创投。本轮融资主要用于产线建设与基建建设。

芯科半导体成立于2021年9月，是一家专业从事SiC外延片、功率芯片及器件类产品研发、设计、销售的IDM公司。2022年芯科半导体已实现数千万元营收，产品得到阳光电源、通威股份、海康、大华、吉利、比亚迪等多个领域头部客户认可。

纳微加强SiC外延建设

已投资约1.42亿人民币

5月30日，纳微官网宣布了其一系列战略制造投资中的第一项，目标加强对GeneSiC碳化硅（SiC）功率半导体的控制，以降低成本、提高收入能力。

据悉，该战略将推进纳微在加利福尼亚州托伦斯总部建立总投资为 2000 万美元（约1.42亿人民币）的 SiC 外延生长设施的落地。

纳微已与爱思强达成合作，将采用爱思强G10-SiC外延反应器。该设备具有6英寸和8英寸外延生长的能力，预计将于2024年完全投入生产。纳微认为，新设施提供的外延生长服务将是关键工艺步骤，可以支持高达 2 亿美元的额外年产量。未来他们还将继续使用第三方供应商进行额外的外延生长、晶圆制造和组装操作。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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