液相SiC！国产技术又一突破

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液相SiC长晶技术具有多个优势，包括晶体质量高、成本低、易扩径、易实现稳定的p型掺杂等，近年来受到高度关注。最近，国内在该技术领域实现了新的技术突破——液相法碳化硅长晶炉顺利下线。

连城数控：

液相法SiC长晶炉下线

3月21日，连城数控官微发文称，该公司半导体晶体事业部首次研制的液相法碳化硅长晶炉顺利下线，经检验各项性能达到预期目标。

公告还表示，连城数控今年一季度中标某重点客户190台碳化硅感应炉。

据“行家说三代半”此前报道，今年2月，连城数控全资子公司连城凯克斯半导体高端装备研发制造二期项目启动奠基，项目总投资10亿元，主要建设碳化硅设备、单晶炉设备、光伏组件设备、ALD设备在内的研发组装一体化生产线。

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此外，在2022年7月，连城数控拟募资 13.6 亿元，其中1.38亿元用于碳化硅衬底加工装备生产项目。项目实施主体为连城凯克斯，涉及SiC晶片制造中的长晶环节，建设周期预计为18个月。

6寸将送样、8寸在路上

国内外液相法进展盘点

除连城数控外，“行家说三代半”发现，其他液相法长晶炉设备研发制造单位还包括：合肥科晶材料技术、日本第一机电株式会社、日新技研、MTI公司等。

而液相法SiC长晶的研发工作主要集中在日本、韩国和中国，主要包括：中国的中科院物理所、北京晶格领域和常州臻晶半导体；日本的名古屋大学（UJ-Crystal ）、住友金属、丰田汽车、三菱电机、东京大学等；韩国的东义大学、韩国陶瓷工程技术研究所、延世大学等。

国内进展如下：

● 2023年2月，晶格领域液相法碳化硅项目扩建中试线。据悉，该项目总投资4.5亿元，是中科院物理所科技成果转化项目，将分三期落地实施。目前，该项目已建成4-6英寸液相法碳化硅衬底试验线，具备年产5400片碳化硅衬底生产能力。

● 2022年11月，新洁能以自有资金人民币2500万元认购常州臻晶22.9592万股。据悉，常州臻晶半导体的液相法碳化硅6英寸产品预计于2023年下半年（6-9月）向客户送样，目前已与目标客户达成相关意向，8英寸产品预计2025年推出。

● 中国科学院物理研究所陈小龙团队于2021成功生长出了4英寸的 4H-SiC 晶体。

中科院物理所用TSSG法生长SiC单晶的代表性成果

日本方面，2021年10 月，名古屋大学成功生产出了高质量的6英寸SiC 单晶衬底，并且将结晶缺陷数量降至原来百分之一,计划在2022年销售样品，2025年正式量产。

2022年5月，日本OXIDE公司宣布投资4亿日元（约2100万人民币），与名古屋大学子公司UJ-Crystal等合作建设建设8英寸SiC晶圆工厂。

根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，碳化硅晶体的生长方法主要有物理气相传输法（PVT）、高温化学气相沉积法、液相法等。其中，PVT法是目前主流的碳化硅晶体生长方法，Wolfspeed、天岳先进、天科合达和烁科晶体等都采用该方法；而住友、晶格领域等采用液相法来实现碳化硅晶体的生长。

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