世纪金光：6寸SiC已交付，加速开通芯片/模块线

过去一年，产业领袖企业是如何抓住历史机遇勇立潮头？2023年，他们又将如何迈出新时代步伐？为此，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《产业领袖开年说——2023，全力奔跑》专题报道，本期嘉宾是世纪金光副总裁于坤山。

接下来，还将有更多的领军企业参与“行家开年说”，敬请期待。

受访者：于坤山

世纪金光副总裁

行家说三代半：过去一年，贵公司致力于哪些方面的努力？主要做了哪些关键性工作？

于坤山：2022年世纪金光主要在修炼内功，以加快产业化为目标，推动SiC单晶衬底材料的产业化，聚焦SiC衬底材料基地的建设、投产以及产品质量性能提升，实现稳定批量生产的目标任务；进行了内部组织架构的优化调整；多措并举加快自主设计芯片的技术迭代；加速推动芯片和模块产线开通。

2022年9月初，子公司合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产；2022年第四季度6英寸导电型单晶衬底产品正式交付客户，持续提升产品综合良率和产量。

2022年9月底，世纪金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件CGE2M120080。新产品单位面积导通电阻RDS(on)相对于上一代产品下降了大约53%，主要应用电流比导通电阻均达到3.5mΩ·cm2以下；栅总电荷量下降52%，低至54.5nC，使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(on)×Qgd）”降低了大约78%，约为1500 mΩ·nC；有效提升开关速度，从而使开关损耗减小超过20%，整体性能表现居先进水平。

同时自主设计1200V 600A车规级SiC模块样品实现优化开发。

2022年我司完成两轮融资。

行家说三代半：2022年是第三代半导体产业关键的一年，您会用哪些关键词来概括产业的发展？

于坤山：动力足。疫情背景下，人们更应该关注健康和可持续发展，思考如何维持一个健康的环境和生态？如何充分利用可再生资源？因此，“双碳战略”、绿色低碳发展、基于万物智能互联的高效生产和生活方式成为推动未来可持续发展的强劲动力，这些新的理念已成为全球共识。

第三代半导体材料及器件以其高光效、高功率密度、低损耗和高频等优异特性，在照明与显示、高效率电能转换和控制、新一代移动通信等领域起到技术创新和产业引领的作用。由此可见，无论是由5G与新能源等前沿技术主导革新的通讯、能源与交通行业，还是数字经济，第三代半导体都将成为产业升级的核心驱动力之一，成为产业创新发展的新引擎。

布局提速。以新能源汽车市场为龙头，光伏、储能、数据中心、能源互联网、工业传动、白色家电等行业快速跟进，加上以数字化为代表的信息技术革命，数字能源产业正在形成。具有前瞻性的机构和企业已经开始进行超前布局。在这一背景下，“产能为上、产品为王”趋势不断显现，龙头企业加速单晶衬底、芯片和模块封测产线建设，以抢占未来产能缺口。

投资趋于平稳理性。相较于过去两年，面对国内高性能芯片依然“缺芯”的局面，市场对投资半导体产业有了清醒的认识，这就是“芯片”不是仅有钱就能砸出来的，它需要“技术、资金、团队、供应链、市场、时间”等多种要素的紧密协同，任重而道远。可以看到，2022年，资本市场对第三代半导体的投资更加理性，投资节奏已然放缓，让市场有时间去消化和自我完善，这对于行业的良性发展并不是坏事。

节奏的放缓，意味着能够有更多的精力和时间来评估项目、了解市场走向；同时，企业也有更多的精力和时间踏踏实实做好核心业务：为市场提供过硬的产品和服务。在平稳理性的投资环境下，让真正有实力、有决心做实业的企业获得更多的资源和机会，更加有利于中国第三代半导体产业的创新发展。

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行家说三代半：2022年整个产业还面临哪些压力和挑战？2023年，我们如何应对这些挑战？

于坤山：2022年国际宏观经济和政治形势波动带来的全球经济不确定性风险加剧，供应链安全关系到产业的可持续发展，也是整个产业面临的压力和挑战。

应对挑战，自主可控是强有力的竞争力，我们将沉心于技术进步与创新、产品质量和产量本身，加强自身技术研发和产业化能力的提升，更多与同行和供应商的交流与协同，把握市场动态，顺势而为。

行家说三代半：2023年，贵司有怎样的规划和目标？在未来哪些方面有些新的增长点？

于坤山：2023年世纪金光作为瞪羚企业将继续立足于第三代半导体碳化硅材料、器件和模块的开发和应用，坚持全产业链战略布局，小步快跑，稳步发展。公司将加快产品技术突破，提升产业链上游衬底材料的综合良率，稳步推进产能提升；加速推进器件相关工作，持续将新成果展现给客户；重塑品牌形象，以更加成熟的技术、稳定的产能、产品和服务增强市场客户粘性；坚持市场引导，持续创新！

行家说三代半：第三代半导体的应用边界持续的拓宽和深化，已经被“嵌入”更丰富的应用场景中。您对当下的市场规模、竞争格局以及产业趋势有怎样的解读？

于坤山：总体来说，过去几年第三代半导体在新能源汽车、光伏逆变、数据中心等领域得到了广泛应用，在其他领域如能源互联网、工业传动、轨道交通等方面也开始技术验证和示范，可以看出其应用边界在不断拓展和深化。随着技术的不断完善、产能的提升和成本的不断降低，第三代半导体产业和应用将会出现相互协同、互相促进、螺旋式上升的局面，未来还有更多、更具优势的应用场景有待开发和拓展。具体从以下几个方面进行分析：

（1）市场规模角度

现有的新能源汽车、光伏等应用市场，所采用的功率半导体器件还是以Si基IGBT和MOSFET为主，第三代半导体的渗透率还不高（低于10%）。从目前的发展来看，技术性能的提升和成本的下降，将会带来应用规模和渗透率的双增长，第三代半导体的市场规模将会带来显着的变化。并且，由新能源汽车和光伏应用的带动，再拓展到储能、能源互联网、建筑能源、工业传动、消费类等领域，那才是应用市场的真正爆发。

（2）竞争格局角度

国内第三代半导体的竞争主要来自三个方面。

一是面临Si基半导体的竞争，增量市场和存量市场的竞争。目前，Si基IGBT和MOSFET器件仍然占据功率半导体90%以上的市场，是市场绝对的主流。并且国际龙头企业还在持续开发新产品、新工艺、新结构，不断提升器件的性能和可靠性，扩充产品品类和系列，大幅度降低成本，这些都充分显现出Si基功率器件的长久生命力和可持续的竞争力，也增加了第三代半导体进入市场的难度。正是Si基器件的技术和经济优势，也为第三代半导体明确了努力的方向：丰富产品品类、提升性能和可靠性、扩大产能和产量、降低成本、拓展应用领域。

二是面对国际龙头企业的竞争。历经多年的发展，以英飞凌、罗姆、Wolfspeed、意法半导体等为代表的国际龙头，其在第三代半导体领域从材料到器件全产业链的优势明显，产品性能和成本形成对中国企业的竞争优势，随着新技术和新工艺的不断采用，加上晶圆向更大尺寸演进，龙头企业与下游应用之间已经出现更深层次的供需绑定，将给国内企业以沉重的压力。

三是国内企业之间的竞争。第三代半导体领域，国内已经聚集了上百家初具规模的企业，整体来看企业规模并不大，技术和产品也处于早期，按理还不具备与国际龙头企业竞争的能力，但是国内企业之间却已展开第一阶段的激烈竞争，主要表现在人才、市场和资源的竞争，这对整个行业的良性、有序发展是极为不利的。我们更应该看到在产业化的初期，国内企业应该协同一致共同突破产业发展初期的关键共性技术，加速打通产业链，快速提供市场急需的产品，建立国内终端客户对上游材料、器件和模块的国产化信心。

（3）产业发展趋势角度

产业的发展是不以人的意志为转移的，它会遵循产业自身的规律而动。具体来讲，有以下三个方面。

一是单晶衬底材料和外延、芯片和器件、模块与封测、核心装备等产业发展是基础，有了这些良好的基础才能为产业的可持续发展创造条件。国内近十年的发展基本打通了上述全产业链，多年的技术积累，各企业的实力也在不断增强。但是，客观来说，从应用市场的需求来评价，国内的产业仍然存在差距，还需要借助技术的不断完善、关键技术的创新性突破来提高产品性能和降低成本。就SiC而言，产业发展需要单晶生长和加工技术突破；高速外延技术突破；芯片工艺和良率突破；模块功率和系统集成技术突破。

二是智能制造技术的发展，使得制造成本大幅度下降。随着人工智能、物联网、大数据等技术与半导体装备和智能制造相结合，将使半导体产业逐渐摆脱对人的依赖，智能化、定制化、柔性化等理念贯彻制造过程，产品和系统极大丰富，使得“材料、工艺、装备和系统”实现一体化，产业将会进入更广阔的发展空间。

三是应用技术取得突破，不断深化在某一领域应用的深度和广度，比如新能源汽车全面采用第三代半导体器件（从照明、传感、互联网、功率驱动与控制、VTG、VTV、VTX等得到真正的应用）。在新能源汽车领域的成熟应用，将会积累丰富的应用经验和数据，以此为基础，再拓展到其他各行各业，如新能源发电、储能以及各类电力驱动和控制、建筑能源、工业传动、消费类、轨道交通、船舶等。到那时，我们将看到一个全新的工业、社会、经济时代。

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