单晶AlN基板商业化加速，这家企业宣布扩产

UVLED风向 · 2022-10-22

随着2017年《关于水银的水俣条约》的生效，国际社会开始致力于减少水银的使用。在此背景下，深紫外LED便受到期待。

据了解，业内专家们认为深紫外LED的商业化的核心限制因素之一就是高质量氮化铝薄膜，解决方案之一就是衬底材料如单晶氮化铝（AIN）基板的商业化生产。近日，HexaTech宣布加速其直径为100毫米的单晶氮化铝（AlN）衬底产品开发计划。

加速100毫米单晶AlN衬底产品开发

据该公司称，该计划在过去一年中一直处于开发的早期阶段，将在人力资源和资本支出方面进行大量投资，涉及从晶体生长到抛光的所有制造工艺领域。

HexaTech业务发展副总裁Gregory Mills表示：“正在开发的100毫米直径AlN产品旨在支持快速扩大的深紫外光电子商业市场，以及新兴的基于AlN的功率和射频器件开发工作的需求。这种能力不仅将大幅提高单位面积的价值，从而降低器件成本，而且还将与已经以100毫米运行的现有客户生产线很好地集成。

HexaTech表示所有2英寸直径产品，包括全系列的深紫外透明衬底产品，现在都有标准的交货时间。

光学透镜（左）和透射电镜（右）拍摄的2英寸单晶氮化铝（AIN）（图片来源：HexaTech）

多次扩产，商业化进程加速

据行家说UV了解，HexaTech在2019年5月宣布具备了生产无缺陷氮化铝基板的能力，并在2020年4月宣布实现量产，在2021年，HexaTech的单晶基板产线投产。

2021年7月13日，HexaTech公司宣布，针对深紫外光电器件的需求增长，再次扩产其高透两英寸单晶氮化铝衬底产线。

据HexaTech披露，这些单晶氮化铝衬底提供市场上透明度最高的AlN基板，在265nm处的吸收系数值低于30cm-1，极低的系数实际上消除了UVC-LED的穿透基板透明度问题，提供了最佳的UVC光电器件性能，能够在提供显着提高的LED设备性能，同时降低LED制造成本，达成真正的双赢。

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