车规GaN新技术 : 3000V、外延层薄20倍

近日，外国一企业研发出了一种新型GaN高压器件，据说其击穿电压超过3000V，外延层比硅基GaN薄20倍，未来将应用在电动汽车市场。

击穿电压超3000V

碳化硅基氮化镓

6月21日，GaN-on-SiC 外延片制造商 SweGaN AB 联合瑞典查尔姆斯理工大学（Chalmers）展示最新的高压 GaN 技术成果。

根据他们发表在《Electron Device Letters》上的技术文献，这款新型“无缓冲”GaN-on-SiC MIS-HEMT是基于Chalmers MIS-HEMT技术和SweGaN QuanFINE® 无缓冲外延片共同实现的。

众所周知，受 GaN 材料质量和低击穿硅衬底的限制，市场上可用的 GaN 功率器件的额定电压大多为 650V。但是，QuanFINE® 外延片制造的GaN 功率器件，可以在高电压操作下实现极低的栅极和极低的漏极泄露电流，而且其总外延层厚度大约比商用 GaN-on-Si 外延片薄20倍。

此外，这款MIS-HEMT的特定导通电阻为3.61 mΩ*cm2，截止状态击穿电压超过1600V，垂直击穿电压超过3000V。

这些实验成果证明了QuanFINE® 外延解决方案在高压 GaN 功率器件中的巨大潜力，产品可应用于对器件的性能和可靠性都有严格要求的领域，例如车载充电器和电动汽车功率逆变器。

SweGaN 首席技术官 Jr-Tai Chen 博士表示，预计这项新成果在电动汽车时代将会有越来越多的机会；目前他们正在与早期采用 GaN 功率器件的公司进行讨论，以推出能够发挥 GaN 真正优势的高压电源解决方案。

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更多前沿SiC/GaN技术

尽在深圳三代半论坛

7月7日，欣锐科技、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、芯干线、百识电子和恒普科技等企业将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，他们将共同探讨碳化硅和氮化镓在新能源汽车、储能、光伏等领域的最新动态和技术方向。

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