南加州大学与稳懋达成砷化镓、氮化镓合作

行家说消息   5 月 31 日，南加州大学信息科学研究所的MOSIS服务和稳懋半导体公司就 III-V 化合物半导体制造合作，签订了一份谅解备忘录，以加速与稳懋半导体公司开发 GaAs 和 GaN 单片微波集成电路工艺技术。

WIN半导体

150MM GAAS WAFER 来源：WIN SEMICONDUCTORS CORP.

此次合作结合了 MOSIS 世界一流的半导体设计支持和制造专业知识，包括多项目晶圆 (MPW) 运行，以及 WIN Semiconductors 用于利用包括砷化镓 (GaAs) 在内的 III-V 化合物半导体的高速器件的行业领先制造技术) 和氮化镓 (GaN) 以及原型封装技术。通过此次合作，大学、研究机构和行业组织将能够使用广泛的异质结双极晶体管 (HBT)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 和射频氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 技术平台产品组合开发新的高性能 MMIC 设计。此次合作为创新、可靠、

“这是 MOSIS 服务与微电子社区一起为非硅晶圆制造工艺提供访问和支持的一项重要的新功能。” 信息科学研究所执行主任 Craig Knoblock 说。“美国政府、研发实验室、公司和学术界将首次获得 WIN Semiconductors 的 III-V 族化合物半导体工艺组合以及 MOSIS 的传统设计和制造服务能力。我们相信，此次合作将显着推进微电子研发并加速先进 GaAs 和 GaN MMIC 的开发。”

“我们很高兴与 WIN Semiconductors 合作推出这一计划”，MOSIS 服务总监 Lifu Chang 说。“WIN Semiconductors 是纯化合物半导体代工领域的全球领导者，提供全面的 III-V 技术组合。与硅技术相比，这些 III-V 代工技术需要更高水平的设计技术相互作用。我们的 MOSIS 经验为紧密耦合和高效的设计和制造流程提供了一个平台，以支持对高性能前端应用感兴趣的大学和设计公司。”

Knoblock 回应了这一声明，“在全球竞争和晶圆供应限制的背景下，美国的大学和公司获得各种半导体工艺和设计支持存在严重问题。MOSIS 服务致力于为解决问题做出贡献。GaAs 和 GaN 技术的加入是必要的，我们将朝着这个方向努力。”

WIN Semiconductors 技术和战略业务发展高级副总裁 David Danzilio 表示：“WIN Semiconductors 和 MOSIS Service 之间的合作为许多新用户创造了一个新平台，让他们能够使用 WIN 市场领先的化合物半导体技术。” Danzilio 指出：“我们正在与 MOSIS 的团队一起构建一个强大的项目框架。我希望吸引和支持许多感兴趣但需要 MOSIS 可以提供的技术支持水平的客户。WIN 是最大的纯化合物半导体代工厂，我们欢迎 MOSIS 服务提供的新客户服务”。