收购;车规模块！天科合达/Wolfspeed/罗姆等在布局这些...

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行家说“一周要闻”又来啦！

碳化硅

天科合达、普兴等

入选第三批国家级“小巨人”名单

5月17日，工业和信息化部发布《关于第三批第一年建议支持的国家级专精特新“小巨人”企业名单公示》，第三批第一年建议支持的国家级专精特新“小巨人”企业共546家。

其中，多家第三代半导体相关企业上榜，包括北京天科合达半导体股份有限公司、上海闻泰电子科技有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、湖南顶立科技有限公司、宁波芯健半导体有限公司、矽电半导体设备（深圳）股份有限公司等。

罗姆、Arieca：

合作开发车规SiC模块散热技术

5 月 17 日，Arieca宣布与罗姆签订了一项联合研究协议，罗姆将使用 Arieca 的液态金属嵌入式弹性体 (LMEE) 技术开发下一代 TIM。这项联合研究通过利用 LMEE 平台提供高热传递，解决传统 TIM 技术面临的可靠性问题，为开发xEV 应用SiC 功率模块提供助力。

Wolfspeed 推出汽车级碳化硅功率模块

5 月 18 日，Wolfspeed公布了他们的大功率碳化硅模块系列器件的最新成员EAB450M12XM3。XM3 半桥模块利用 SiC 的优势，同时保持简单、可扩展且具有成本效益的占位面积，其重量和体积仅为行业标准 62 毫米模块的一半。该封装采用高可靠性氮化硅电源基板，以确保在极端条件下的机械稳健性。该外壳设计用于多种配置的模块化和可扩展性，所有配置的电感均低至 6.5 nH（与类似模块相比，电感最多可减少 50%）。这使得 XM3 非常适合苛刻的恶劣条件，如牵引驱动、直流快速充电器和汽车测试设备等汽车应用。

派恩杰：

推出高性能SiC MOSFET图腾柱PFC评估板

近日，派恩杰宣布，基于650V、60mΩ的SiC MOSFET P3M06060K4，推出高性能高效双向3.3kW Totem-Pole PFC评估板。采用派恩杰SiC MOSFET CCM Totem-pole PFC在全负载范围内都可以获得非常高的效率，在输入电压265Vac时峰值效率可达99.19%；输入电压220Vac，峰值效率也高达98.89% ，大范围负载效率都高过98.5%，可以满足80+钛金效率要求。系统满载温升情况下，系统最高处温度仅69℃，具有充足的热设计裕量。

大族推出SiC晶锭激光切片机

5月20日下午，大族半导体在深圳举行了2022年新技术及关键装备发布会，发布了激光切片（QCB技术），并推出了其第三代半导体新品设备——SiC晶锭激光切片机HSET-S-LS6200、以及SiC超薄晶圆激光切片机 HSET-S-LS6210。

据介绍，HSET-S-LS6200采用了自主开发的动态超调制高功率飞秒激光系统与自主开发多维度+多方向自动剥离技术，晶锭支持厚度5cm，晶锭支持加工尺寸最大可达8inch，可支持生产成本降低73%。SiC超薄晶圆激光切片机 HSET-S-LS6210的超薄器件切片技术100um，可支持生产成本降低60%。

启迪改名长飞先进

5月12日，长飞光纤公告称，近日他们已完成了相关协议的签署，并完成了启迪半导体交易相关的工商变更手续。启迪半导体已更名为安徽长飞先进半导体有限公司，成为长飞光纤子公司，而芜湖太赫兹工程中心有限公司成为长飞先进的全资子公司。

民德电子：

签订6英寸设备购买合同

5月18日，深圳市民德电子科技股份有限公司全资子公司民德电子(丽水)有限公司发布公告称，民德(丽水)拟与设备代理商江苏联芯半导体科技有限公司签订6英寸晶圆代工生产线设备的购买合同，合同预估金额为2.4亿元人民币。

据了解，上述2个募投项目量产后，将主要生产600V-1700V碳化硅肖特基二极管、45V-150V高能效低导通压降硅基沟槽型肖特基二极管以及200V-300V高压硅基肖特基二极管等产品。

氮化镓

近2.6亿！宏光半导体引入战略投资者

5月19日，宏光半导体有限公司宣布引入新战略投资者Wide Yield Investment Holding Limited ，以支持集团打造世界级第三代半导体产业链平台的愿景和发展。

Star Eagle Enterprise Limited以总代价约3.02亿港元（2.589亿人民币），向Wide Yield Investment出售1.005亿股股份（相当于宏光已发行之股份总数约17.83%）。透过引入战略投资者，宏光半导体相信其股权架构及财务状况将得以进一步加强，让其充分在氮化镓半导体领域发展并深化其实力。

苏州新签氮化镓单晶项目

5月16日，苏州高新区举行2022年苏州科技城重大项目集中云签约仪式，本次集中签约项目共21个，其中签约了重大科技项目10个，包括宽禁带半导体GaN单晶衬底项目等。

Gallium Semi：

在荷兰建立氮化基射频研发中心

5 月 18 日， Gallium Semi 宣布，他们在荷兰奈梅亨举行了欧洲研发中心开业仪式。

Gallium Semi 首席执行官 Kin Tan 表示，奈梅亨办公室是 Gallium Semi 欧洲工程师设计和开发射频半导体解决方案，以支持 5G 及其他网络的理想之所。奈梅亨是欧洲射频功率技术的核心，使 Gallium Semi 能够利用世界一流的人才来扩大其团队。

Sensitron 、EPC：

推出350 V 氮化镓半桥IPM

5月17日，Sensitron 和 EPC 宣布联合推出高功率密度的350 V 氮化镓半桥IPM。Sensitron表示，“我们很高兴与 EPC 合作。通过使用超小型 EPC2050 GaN FET，我们可以设计出效率更高的 350 V 半桥模块，其尺寸仅为替代硅解决方案的 1/3，使我们能够捕获非常高密度的应用。”

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