SiC项目提速?2家上市公司近44亿募资获批
第三代半导体风向 · 2022-05-18
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昨天,国内2家上市企业宣布,他们的募资申请获得证监会审核通过,合计募资近44亿元,他们都将建碳化硅器件和衬底项目。
新洁能:
募资14.5亿 将建SiC器件项目
5月16日,新洁能发布公告称,其关于非公开发行A股股票申请获得中国证监会核准批复。
据了解,本次定增流程开始于2021年11月——新洁能拟非公开发行股票,募资不超过14.5亿元,用于建设碳化硅和氮化镓产业化等项目。
今年1月,新洁能的SiC项目正式过审,并发布了环评报告。截至当时,新洁能一厂区的SiC SBD设计产能为691.2万颗/年、SiC MOSFET为134.4万颗/年。
应市场需求,新洁能计划扩产,在二厂区新增碳化硅和氮化镓项目。
▲ “SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”项目
该项目总投资约2.23亿元,2022年开建,2024年建设完成;项目建成后,年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。
▲ “SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块的研发及产业化”项目
该项总投资约5.08亿元,项目建设期为36个月,将年产362.6万只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)。
露笑科技:
募资29.4亿 产能将达24万片/年
同一天,露笑科技也宣布他们的非公开发行股票申请获得中国证监会发审会审核通过。据悉,此次定增所募集的资金,将主要用于投资建设碳化硅项目。
据“三代半风向”此前报道,去年11月,露笑非公开发行拟募资不超29.4亿元,主要投向碳化硅产业园项目及大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目。
其中,露笑将投入19.4亿元建设“第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目”,5亿元建设“大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”。
此前,合肥露笑半导体董事长程明告诉“三代半”,碳化硅产业园项目建成后,6英寸导电型碳化硅衬底的年产能将达到24万片,而他们的研发中心项目则聚焦以8英寸为主大尺寸碳化硅衬底片技术研发工作。
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