2个SiC/GaN项目将竣工！又有1.2亿订单……

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行家说“一周要闻”又来了！

这周，普兴宣布碳化硅项目即将竣工；一家企业获得了1.2亿碳化硅订单；新洁能、SemiQ 、中微等企业也有新动作；

而在氮化镓领域，意法半导体宣布，其法国8寸氮化镓工厂即将竣工；纬湃CEO明确表态要加速氮化镓“上车”；有研究机构表明，氮化镓可将5G基站能耗降低50%……

碳化硅

普兴36万片/年碳化硅项目今年9月竣工

据《石家庄日报》消息，河北普兴的碳化硅等搬迁项目将于今年9月竣工。

河北普兴电子科技股份有限公司副总经理郝东波介绍，“普兴电子搬迁项目是今年的省重点项目，一期占地130亩，总建筑面积7万平方米，总投资5亿元，主要建有生产车间、办公研发楼、动力站等，计划于2022年9月竣工投产。”

项目投产后，普兴电子将新购置各类外延生产及清洗检验设备共392台（套），达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。

北京中电科获得多台SiC减薄设备订单

《亦城时报》4月1日报道称，北京中电科电子装备有限公司了自主研发的国产高端8/12英寸晶圆减薄机今年以来订单不断，实现了批量化应用。目前已有20多台不同型号设备用于集成电路材料加工、芯片制造、先进封装等工艺段的产品量产。

在第三代半导体材料加工领域，北京中电科顺利完成SiC材料减薄工艺验证并形成多台设备订单。北京中电科预计2022年减薄设备将实现合同额1.2亿元，2023年全系列产品产值将突破2亿元。北京中电科电子装备有限公司总经理王海明表示，今年年底前还将陆续推出8英寸碳化硅减薄研磨（CMP）机，全力打造半导体设备领域的冠军产品，全面实现对进口设备的替代。

新洁能完成1200V SiC MOSFET首次流片验证

近日，新洁能在投资者互动平台表示，他们的碳化硅产品1200V新能源汽车用SiC MOSFET平台开发进行顺利，1200V SiC MOSFET首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，产品综合特性及可靠性验证尚处于验证评估阶段。

SemiQ 推出1200V 80mΩ SiC MOSFET 模块

4 月 5 日，美国SemiQ公司发布了其第二代碳化硅 1200V 80mΩ 功率 MOSFET 模块，该产品采用行业标准 SOT-227 封装，即带有 1200V 10A 并联二极管的 GCMS080B120S1-E1 ，和不带并联二极管的 GCMX080B120S1-E1。1200V 碳化硅 MOSFET 模块是该公司 SiC MOSFET 产品组合的最新扩展。

SemiQ公司表示，与传统的硅绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，其碳化硅MOSFET 开关速度更快，损耗更低，通过减小尺寸、重量和冷却要求实现系统级优势。

中微：正在开发碳化硅、氮化镓专用MOCVD

2021年，中微公司营业收入31.08亿元，其中，刻蚀设备收入20.04亿元，同比增长约55.44%，毛利率为44.32%。

中微公司表示：“针对化合物半导体功率器件市场应用的快速发展，公司正在开发硅基氮化镓及碳化硅功率器件专用的外延设备，不断丰富公司设备的产品线，强化公司在第三代半导体设备市场的竞争优势。”

韩国将成立碳化硅开发研究组

4月7日，韩国媒体报道称，韩国计划成立碳化硅、氮化镓等功率半导体开发研究组。

由韩国半导体企业、大学和研究所组成的“下一代晶体工程研究会”将于4月14日成立。该研究组旨在为碳化硅（SiC）基功率半导体的发展创建一个国内生态系统，培育开发 SiC 半导体及相关材料、零件和设备的公司。

该课题组通过打造韩国本土SiC生态系统来应对功率半导体市场的增长。LX Semicon、SK Siltron、Hana Materials、STI等约30家功率半导体公司计划开发实现功率半导体的材料、零件和设备。

氮化镓

意法半导体：法国8寸氮化镓工厂即将竣工

意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG)，功率晶体管事业部市场沟通经理Gianfranco DI MARCO最近接受采访时表示，在氮化镓领域，意法半导体在法国图尔的8英寸晶圆厂投资建设已进入收尾阶段，目前推出了首款650V e-mode氮化镓晶体管G-HEMT，并将在2022年继续扩大产品系列，还计划从2022年底开始在氮化镓产品组合中增加100V产品。

以色列向捷克交付了氮化镓雷达系统

4月5日，《以色列耶路撒冷邮报》称，以色列航空工业公司（IAI）宣布向捷克交付了1部ELM-2084多任务雷达系统。

该型雷达能同时探测、分类、监视100米至3000米高度上的多枚射弹，定位射弹的发射点和弹着点，并控制拦截弹实施拦截，其覆盖范围约为250千米。

根据两国国防部于2019年12月签署协议的一部分，以色列将向捷克交付8部雷达，以取代捷克军方自1991年起一直在役的老式苏制雷达。其中首部系统已于2022年2月底交付，其余部分将于一年内交付，最后一部系统计划于2023年初交付。

纬湃：汽车电气化方案将加快采用氮化镓

4 月 5 日，Vitesco纬湃首席执行官 Andreas Wolf 接受了汽车媒体采访。

他透露，纬湃计划将把四个业务部门——电子控制、电气化技术、传感和驱动以及合同制造，重组为两个部门：“动力总成解决方案”和“电气化解决方案”，计划自2023年1月1日起实施。

同时，他还表示，GaN 晶体管在车辆应用方面具有巨大的潜力，它们比由硅制成的晶体管更高效、更小且更经济。“与 GaN Systems 一起，我们希望在电气化解决方案中加速使用氮化镓，例如扩大汽车的续航里程或提高电动汽车的整体能源效率”。

EPC 推出 350V GaN 功率晶体

4 月 7 日，EPC 宣布推出 EPC2050——一款 350 V GaN 晶体管，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，脉冲输出电流为 26 A。EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。这种微小的尺寸使电源解决方案占用的面积比同类硅解决方案小十倍。

其应用范围包括快速充电器、电池管理系统、电动汽车充电、太阳能逆变器、自动驾驶汽车和送货车辆的大功率激光雷达、LED 照明、射频开关，以及壁挂式插座和 D 类音频等消费和工业布线。

EPC2050 eGaN FET 的 1K 片售价为每片 3.05 美元，EPC90121 开发板售价为每片 156.25 美元。

氮化镓可助5G基站降低50%能耗

ABI Research 称，5G 基站需要 3 倍以上的能源才能提供与 4G 网络相同的覆盖范围，这给网络运营商带来了高昂的能源成本和资本支出。

在 mMIMO 系统中，功率放大器 (PA)、基带处理模块、数字中频 (DIF) 和收发器是功耗的主要来源。硬件优化将可以优化5G功耗，新一代芯片组将提供 30% 至 70% 的节能。

GaN 是 mMIMO 的理想选择，Doherty PA 配置中的 GaN 可以将电源效率提高 50% 以上，可显着降低耗电的 mMIMO 系统的功耗，并降低网络运营商的运营成本。

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