三星投资！又一家GaN企业即将上市

三星投资！又一家GaN企业即将上市

据外媒消息，11月5日，韩国企业 IVWorks 宣布完成了1740万美元（约1.1亿人民币）C轮融资。本轮融资将用于扩大8英寸氮化镓外延片产能，以及改善人工智能生产平台。

同时，IVWorks还已经启动了上市筹备工作，三星等机构已经参与多轮融资。

三星多轮投资

将启动上市

IVWorks成立于2011 年，是一家韩国氮化镓外延企业，也是韩国第一家实现8英寸硅基GaN外延片和6英寸碳化硅基GaN外延片的晶圆厂。

据了解，2015年 IVWorks 从三星风险投资和松铉投资那里获得了 5亿韩元（270万人民币）的种子投资。

据了解，2018年时IVWorks 已经建成了韩国第一条GaN外延片中试生产线，2018年底完成扩产，计划将年产能提高到1000片。

三星2019年还参与了 IVWork 的B轮融资，融资额为80 亿韩元（约4300万人民币）。截至2019年，这家外延片初创公司已积累了 120 亿韩元（约6400万人民币）的资金。

这次C轮融资，YG投资、现代风险投资、韩国证券投资公司等企业共为IVWorks 投资了1740万美元（约1.1亿人民币）。

B轮融资和C轮融资都是为了扩产，目前 IVWorks 的具体产能尚未可知。

IVWorks 首席执行官Young-Kyun Noh透露，IVWorks 将谋求在韩国证券交易所上市，目前已经与韩国证券投资公司签订了合同，开始了全面的首次公开发行(IPO)筹备工作。

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用人工智能技术

开发8寸氮化镓

三星为什么会看上IVWorks？

原因在于 IVWorks 独特的技术和设备。据介绍，IVWorks自行开发了分子束（MBE）外延片生产设备，同时还利用人工智能技术进行实时监测。

2018年2月，IVWorks 首次成功开发了“8英寸硅基GaN外延片”和“4英寸碳化硅基GaN 外延片”。2020年7月，IVWorks 成功开发了“6英寸碳化硅基GaN外延片。

根据官网消息，IVWorks 的8英寸的硅基GaN外延片，采用Si(110)衬底来代替现有的Si(111)衬底，能够将GaN晶体管和驱动电路进行集成，其电子迁移率为2500 cm2/VS，薄层电阻为360 ohm/sq，薄层电阻均匀性为5%，厚度均匀度为2%，击穿电压为600V。

其4英寸碳化硅基GaN外延片的电子迁移率为1800 cm2/VS，薄层电阻为350 ohm/sq，薄层电阻均匀性为3%，厚度均匀性为2%，击穿电压超过1000V。

2018年以来，IVworks 不断获得订单：

● 2018年4月，IVworks 与RFHIC签署战略合作伙伴关系，为后者供应GaN外延片并共同开发新产品。

● 2018年9月，Ivyworks 宣布与以色列国防公司签订氮化镓外延片供货合同。

● 2021年6月， IVWorks被韩国政府选为“开发雷达GaN MMIC项目的业务执行机构。

在生产和营销方面，IVWorks 主要是与英特磊（IntelliEPI）合作。

2020年8月，IVWorks与台湾英特磊签署协议，以分子束外延技术共同开发生产氮化镓外延片。两家公司自2018年起就在GaN方面密切合作，2019年形成了技术和营销联盟框架。

公告还提到，目前，IVWorks 使用了3组MBE系统来生产4至8英寸的GaN外延片。IVWorks 是采用混合式MBE技术生产GaN外延片，也就是利用氨和电浆搭配的氮源进行外延，以提高化质量和生长速度。

IVWorks公司还开发了机器学习的人工智能外延监控系统“Domm”，用于检测和分析反射高能电子衍射(RHEED)图像，该系统可以在MBE外延过程中，实时监控原子层级的晶体生长表面，从可以大幅提高生产良率。

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