蔚来、理想、华为...都来了！这场SiC/GaN大会这么火爆？！

蔚来、理想、华为...都来了！这场SiC/GaN大会这么火爆？！

今天，“三代办风向”在深圳主办了『SiC与GaN功率器件技术与应用分析大会』，蔚来、理想等汽车和电控企业，华为、伊顿电气、中车、三安、芯塔、II-VI等主流电源和第三代半导体企业都来了！

先来个视频，让大家看看火爆的现场：

英飞凌、罗姆、三菱电机、安森美、英诺赛科、天科合达、飞锃和芯聚能等企业在现场讲了什么？正式发布的『2021第三代半导体调研白皮书』有哪些亮点？

行家说三代半 CEO 蔡建东

会议初始，行家说三代半CEO蔡建东做了主办方致辞，主要介绍了全球第三代半导体格局等内容。

行家说三代半 研究总监 张文灵

会议现场，行家说三代半研究总监张文灵带来『第三代半导体调研白皮书』的成果发布，详细分析2021年第三代半导体的产业发展状况和趋势。

英飞凌应用市场总监 程文涛

英飞凌Infineon应用市场总监程文涛带来『650V SiC/GaN功率器件的机会与挑战』的主题演讲，主要介绍了英飞凌硅、碳化硅和氮化镓三种材料的技术对比，市场定位以及对未来发展的预期。

英诺赛科 产品应用副总 陈钰林

英诺赛科产品应用副总陈钰林带来『All-GaN创新方案及其应用趋势』的主题演讲，他以USB PD3.1协议扩展了USB PD3.0的输出范围为背景，对电源的设计提出了新的挑战，他表示英诺赛科将推出65W到240W全系列的All GaN创新解决方案，进一步提高功率密度和效率。

Power Integrations 现场应用工程师 符再兴

Power Integrations现场应用工程师符再兴带来『高频有源钳位反激 (ACF) 解决方案助力快速充电』的主题分享，在会议上详细介绍了ACF优势，可使电源轻松实现94%以上效率的方法，同时表示InnoSwitch4-CZ + ClampZero芯片组可以解决尺寸与高功率和效率之间的矛盾。

能芯半导体 总经理 姜南

能芯半导体总经理姜南带来『第三代半导体功率器件可靠性检测』的主题分享，围绕着碳化硅MOSFET器件的功率循环测试技术进行介绍。在会议上，他分析了碳化硅MOSFET器件的温敏参数的选择，以及相应功率循环测试台的搭建，讨论了芯片栅氧层退化造成功率循环测试的结果误判，以及电流密度、通电时间等其他测试参数，对碳化硅MOSFE器件的功率循环测试结果的影响，最后简单例举了几种碳化硅MOSFET器件封装的可靠性表现。

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三菱电机 应用技术经理 马先奎

三菱电机 Mitsubishi Electric应用技术经理马先奎带来『SiC功率器件技术现状与展望』的主题演讲，深度解读了三菱电机SiC芯片技术的演进，SiC功率模块的应用，以及从应用角度来说明SiC模块的要求和发展趋势。

天科合达 副总经理 刘春俊

天科合达副总经理刘春俊带来『第三代半导体SiC单晶衬底研究和产业进展』的主题演讲，在会议上详细介绍了碳化硅单晶衬底领域近期的行业进展情况，以及北京天科合达公司在碳化硅单晶衬底领域的研究技术进展。

天域半导体 副总 孔令沂

天域半导体副总孔令沂带来『SiC外延生长技术及其挑战』的主题演讲，他围绕SiC外延生长技术，以及在外延片生产过程中，遇到的问题及挑战进行探讨介绍，同时也分享了当前SiC外延工艺的技术更新方向，以及未来SiC外延产业的发展趋势。

飞锃半导体 副总裁 刘桂新

飞锃半导体副总裁刘桂新带来『SiC在充电桩领域的应用及发展趋势』的主题分享，他以充电桩系统的主要架构和发展趋势为背景，介绍了碳化硅二极管和碳化硅MOSFET在充电桩中的应用。

罗姆半导体 经理 谢健佳

罗姆半导体ROHM经理谢健佳带来『SiC-MOS驱动尖峰对策』的主题分享，他介绍了在桥式电路中SiC-MOS驱动尖峰形成的机理，围绕带Kevin Source和不带驱动尖峰的异同进行探讨，同时提出了驱动尖峰的对策。

安森美 首席宽禁带器件专家 吴桐

安森美onsemi首席宽禁带器件专家吴桐带来『Pursuing the Promise: Challenges of Adopting SiC』的主题演讲，主要从技术和市场的角度出发，探讨安森美半导体，针对如何帮助业界，更有效地实现从Si到SiC的迭代。

芯聚能 副总裁 刘军

芯聚能副总裁刘军带来『SiC模块在新能源汽车中的最新应用』的主题演讲，演讲综述了全球在SiC车载应用的最新进展。针对SiC在整车上的三个应用场景以及SiC器件/模块的封装需要从结构、材料、工艺和集成四个方面考虑进行了详细介绍，同时介绍了广东芯聚能在SiC车载应用方面的最新进展。

好了，这场就先介绍到这里，详细演讲内容，我们将尽快刊出。最后上一波“美照”：

现场有你吗？快扫描二维码找找看吧：

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