GaN射频需求超150亿！Cree/恩智浦/II-VI等加速扩产、整合

第三代半导体风向 · 2021-06-10

最近，Yole发布报告预测，2020年GaN RF市场规模为8.91亿美元（约57亿人民币），2026年将达到24亿美元（约153.6亿人民币），2020-2026 年复合年增长率为18%。

Yole表示，近年来Cree、II-VI、雷神和恩智浦等GaN射频主要玩家，都已纷纷扩产，同时产业链垂直整合也在加速。

在射频GaN行业，2020年99%以上都是基于GaN-on-SiC技术。除了在军用雷达方面的深度渗透外，GaN-on-SiC也成为了华为、诺基亚、三星等电信OEM厂商的5G大规模 MIMO基础设施的选择。GaN-on-SiC已成为射频功率应用中LDMOS和GaAs的有力竞争对手，不断占据LDMOS的5G市场份额，而且随着6英寸SiC晶圆的逐步采用，GaN-on-SiC的成本劣势将不断弱化。

2026年，GaN宏/微单元将占整个GaN电信基础设施市场的95%以上。而GaN RF器件市场将由5G电信基础设施和国防应用主导，到2026年分别占整个市场的41% 和49%。

受益于5G、雷达等射频市场的快速发展，预计2026年GaN-on-SiC将增长到22.22亿美元（约142.2亿人民币），2020年该市场为3.42亿美元（约21.89亿人民币），2020-2026年复合年增长率为17%。

2020年硅基氮化镓的射频市占率不到1%，但未来市场份额也将逐步提升。GaN-on-Si有望提供具有成本效益和可扩展性的解决方案，硅基氮化镓PA因其大带宽和小外形尺寸吸引了智能手机OEM。随着创新厂商的重大技术进步，它可能很快就会被一些低于 6GHz的5G手机型号采用。

在手机以及国防和5G电信基础设施应用的推动下，2026年GaN-on-Si将从2020年的不到500万美元（3200万人民币）增长到1.73亿美元（约11亿人民币），2020-2026年复合年增长率为86%。