GaN射频需求超150亿!Cree/恩智浦/II-VI等加速扩产、整合
第三代半导体风向 · 2021-06-10
GaN射频需求超150亿!Cree/恩智浦/II-VI等加速扩产、整合
最近,Yole发布报告预测,2020年GaN RF市场规模为8.91亿美元(约57亿人民币),2026年将达到24亿美元(约153.6亿人民币),2020-2026 年复合年增长率为18%。
Yole表示,近年来Cree、II-VI、雷神和恩智浦等GaN射频主要玩家,都已纷纷扩产,同时产业链垂直整合也在加速。
在射频GaN行业,2020年99%以上都是基于GaN-on-SiC技术。除了在军用雷达方面的深度渗透外,GaN-on-SiC也成为了华为、诺基亚、三星等电信OEM厂商的5G大规模 MIMO基础设施的选择。GaN-on-SiC已成为射频功率应用中LDMOS和GaAs的有力竞争对手,不断占据LDMOS的5G市场份额,而且随着6英寸SiC晶圆的逐步采用,GaN-on-SiC的成本劣势将不断弱化。
2026年,GaN宏/微单元将占整个GaN电信基础设施市场的95%以上。而GaN RF器件市场将由5G电信基础设施和国防应用主导,到2026年分别占整个市场的41% 和49%。
受益于5G、雷达等射频市场的快速发展,预计2026年GaN-on-SiC将增长到22.22亿美元(约142.2亿人民币),2020年该市场为3.42亿美元(约21.89亿人民币),2020-2026年复合年增长率为17%。
2020年硅基氮化镓的射频市占率不到1%,但未来市场份额也将逐步提升。GaN-on-Si有望提供具有成本效益和可扩展性的解决方案,硅基氮化镓PA因其大带宽和小外形尺寸吸引了智能手机OEM。随着创新厂商的重大技术进步,它可能很快就会被一些低于 6GHz的5G手机型号采用。
在手机以及国防和5G电信基础设施应用的推动下,2026年GaN-on-Si将从2020年的不到500万美元(3200万人民币)增长到1.73亿美元(约11亿人民币),2020-2026年复合年增长率为86%。
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