8亿项目通线，SiCMOSFET将规模化生产！

第三代半导体风向 · 2021-05-26

8亿项目通线，SiC MOSFET将规模化生产！

昨天，国产碳化硅产业又传来喜讯——江苏中科汉韵半导体有限公司的SiC功率器件项目正式通线。该项目总投资8亿元，2期项目达产后SiC器件年产能超6000万片，而且SiC MOSFET也可实现规模化生产。

据“三代半风向”了解，目前徐州已经布局了3个碳化硅半导体项目，衬底方面，天科合达投资5亿元，二期达成后产能达6万片；封装方面，徐州布局了台湾强茂以及另一个总投资3亿元的项目。

同时，徐州还在布局氮化镓产业，目前天和通讯已简约建设第三代半导体产业园，总投资30亿元。

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投资8亿，6万片/年

一期通线、二期开建

5月24日，中科汉韵在江苏徐州开发区举行了碳化硅器件项目通线仪式。

根据官网介绍，中科汉韵成立于2019年1月，是由中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体产业投资基金共同在徐州投资的半导体芯片企业，股权结构如下：

中科汉韵表示，公司具有雄厚的碳化硅器件综合研究、开发、经营管理和规模化生产能力，研发、设计和生产SiC二极管和SiC MOSFET芯片和模块。

该项目一期投资8亿元，建筑面积2.1万平方米，建设IDM模式生产线，年产碳化硅功率器件等分立半导体器件可达5000片。中科汉韵大楼已于 2020 年 11 月正式投入使用，2021年3月设备完成安装和调试。

该公司计划 2021 年上半年开始 SiC 芯片（JBS和MOSFET）的试产，并计划于2021年下半年启动二期扩建，全新配置6英寸工艺线，可实现年产能6万片，重点扩大SiC MOSFET芯片的生产规模，目标成为国内规模化生产SiC MOSFET 芯片的主要企业。

天科合达、强茂

徐州碳化硅产业链已闭环？

据了解，徐州市围绕碳化硅材料、器件、封测等关键环节，已经建立了较为完善的产业链布局——器件有中科汉韵项目，衬底有天科合达项目，碳化硅封测有强茂和另一个总投资3亿元的项目。

? 天科合达碳化硅衬底

2018年10月，北京天科合达与徐州签约，成立了江苏天科合达，专业从事碳化硅晶片研发、生产和销售，产品涵盖2—6英寸导电型碳化硅晶片、2—6英寸半绝缘碳化硅晶片。

苏州天科合达项目总投资5亿元，计划建立250台单晶生长炉生产基地，其中，2019年年底完成150台(套)碳化硅单晶生长炉及其配套设备达产，实现年产碳化硅衬底4万片。

2019年12月27日，江苏天科合达半导体项目举行了投产仪式。

2020年4月，据江苏天科合达副总经理张平介绍，“我们的150台单晶生产炉已全部开启，2020年的生产订单排到了12月份。”。

2020年5月，江苏天科合达半导体有限公司还启动了碳化硅衬底扩建项目。据了解，2020年天科合达计划完成二期100台(套)碳化硅单品生长炉及其配套设备达产，实现年产碳化硅衬底6万片。

天科合达项目

? 碳化硅封测

2018年9月12日，台湾强茂集团半导体封装测试生产基地项目签约落户徐州，总投资10亿元，强茂的主营产品包括二极管、三极管封装、IGBT封装、集成电路封装、碳化硅封装、高压贴片电容器等。

2020年2月，“碳化硅功率半导体模块封测及封装材料研发项目”落户徐州，总投资约3亿元，主要从事碳化硅（SiC）功率半导体模块的封测、研发生产耐高温、耐腐蚀的先进封装材料，项目达产后，年产碳化硅模块约70万只。

此外，徐州还布局了氮化镓项目。

2019年8月，天和通讯第三代半导体产业基地项目签约落户，总投资30亿元，用于大功率硅基LED芯片大规模制造，重点打造以硅基氮化镓为核心的第三代半导体产业集聚园区。