广东政策加持！第三代半导体发展刻不容缓

广东政策加持！第三代半导体发展刻不容缓

5月13日，广东省人民政府发布了《广东省人民政府关于加快数字化发展的意见》（以下简称“意见”）。《意见》的出台，有利于广东抢占数字时代发展先机、构建发展新优势。

关于第三代半导体产业，《意见》中指出，要夯实以国家实验室为引领的创新能力支撑。加快建设人工智能与数字经济省实验室。围绕微电子、通信与网络、集成电路等数字经济重点领域，布局建设一批高水平研究院。在第三代半导体、新型显示、未来通信高端器件、超高清视频等领域，布局新建国家技术创新中心、产业创新中心、制造业创新中心等国家级创新平台。

《意见》中还提出，要打造我国集成电路产业新发展极。增强芯片设计能力优势，重点突破边缘计算、存储、处理器等高端通用芯片设计，推动第三代半导体、毫米波、太赫兹等专用芯片设计前沿技术研究。

努力补齐生产制造能力短板，大力支持技术先进的IDM（集成电路系统集成服务商）企业和晶圆代工企业布局研发、生产和运营中心，推动12英寸晶圆线及8英寸硅基氮化镓晶圆线等项目建设，建设FDSOI（全耗尽绝缘体上硅）工艺研发线，推进发展模拟及数模混合芯片生产制造。

大力发展氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块研发制造。积极发展高端封装测试，引进先进封测生产线和技术研发中心，大力发展晶圆级、系统级先进封装技术以及先进晶圆级测试技术。

就在不久前，广东省发布“十四五”规划纲要其中就提出，要积极发展第三代半导体、高端SOC（系统级）等芯片产品，加快培育高端装备制造产业。

文稿来源：化合物半导体市场整理

图片来源：拍信网

碳化硅和氮化镓的同与不同

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