稳懋再投23亿扩产！氮化镓产值增长50%

第三代半导体风向 · 2021-05-10

5月7日，稳懋半导体发布公告称，计划3年内投资100亿新台币（约23亿人民币），在台湾南科园建设厂房，今年下半年开工，预计3年后量产。

2020年12 月，稳懋预估南科园厂房投入总价款不超过26.5亿新台币（6.13亿人民币），因此，加上这次追加的投入，一期厂房投资额约为30亿人民币。

据介绍，稳懋第一阶段将兴建包括一栋芯片厂及周边的办公空间、废水处理、机电等相关厂务设施。

稳懋董事长陈进财在2020年10月表示，整个南科园的建设投入将达到850亿新台币（约196亿人民币），建设完成后，稳懋的南部产能将是北部总厂区的2倍以上，月产能将超10万片。

插播：加入第三代半导体大佬交流群，请加VX：hangjiashuo666

不过，貌似这次扩产跟氮化镓关系不大。据“三代半风向”了解，目前稳懋的第3代半导体产值相对仍低，从产能来看，目前稳懋月产800片氮化镓晶圆就足以满足大部分客户的需求，氮化镓占稳懋营收也仅约5%；相较之下，砷化镓的月产能达4万片。

然而，稳懋非常看好氮化镓。陈进财曾提到，就成长率来看，稳懋2020年砷化镓整体出货增长率为20%，但氮化镓的产值年增长率却高达50%。他认为，砷化镓以低电压为主，适合用在手机上，但氮化镓可适用于大电压，相较于砷化镓可以输出更高频的波形，拥有更好的抗干扰能力，目前5G基地台或者是卫星通讯，甚至是自动化工厂内的互联网通讯系统，基本都需要氮化镓才能达成。

在氮化镓方面，稳懋也早有准备。陈进财曾表示，“稳懋10年前就开始研究第3代半导体，3年前就开始交货。”

据“三代半风向”了解，在中国台湾，代工厂稳懋、台积电和环球晶在2010年就进入RF GaN 领域。

2014年，稳懋的NP25技术投入生产，该技术采用0.25μm栅极GaN-on-SiC工艺，它是在4英寸的碳化硅衬底上制造，可工作在28V的漏极偏置下。NP25在10GHz时可提供5W / mm的饱和输出功率，19dB的线性增益和超过65％的功率附加效率。

2018年6月，稳懋又发布了0.45μm栅极技术——NP45-11，该技术在100毫米的碳化硅衬底上制造，可工作在50伏的漏极偏置下。在2.7 GHz频带中，该技术可提供7瓦/毫米的饱和输出功率，18 dB的线性增益和超过65％的功率附加效率，而无需谐波调谐。

2019年6月，稳懋发布了0.15μm栅极技术——NP15-00，可工作在20V的漏极偏置下，在29GHz频带中，NP15-00提供3W / mm的饱和输出功率，具有13dB的线性增益，并且效率高出50％，而无需谐波调谐。

那么，稳懋是如何实现这样的性能？

首先，稳懋创造了一种GaN MMIC工艺，可以实现厚度为4毫米的气桥金属和1微米的全局互连金属。

图：稳懋的GaN工艺包括：镶嵌T型栅极和叠加的源极耦合场板。4 μm厚的空气桥增强了电流处理能力，并提供了高Q电感器。

其次，稳懋重新设计了GaN-on-SiC HEMT的背面处理，这包括：对SiC和GaN衬底进行高速蚀刻；改进晶圆封装介质，其中包括专用的粘合蜡和衬底；处理高速蚀刻过程中副产物的形成以及随后要重复去除的副产物；以及背面籽层优化，可在宽度小于30μm的100 mm深通孔中获得良好的附着力和保形覆盖。

另外，稳懋的其他加工技术还包括对拆卸高应力减薄晶片方面进行改进；采用对极硬的SiC材料进行高速锯切，使得碎屑最少；优化胶带材料，并注意控制所有许多流程之间的相互作用。