又一企业融资近千万，SiCMOSFET比肩Cree？

第三代半导体风向 · 2021-05-08

又一企业融资近千万，SiC MOSFET比肩Cree？

今天（5月8日），据矽能科技官网消息，其在孵企业蓉矽半导体最近获得了800万元天使轮融资，融资后已经完成了SiC MOSFET的工程批投片，性能和可靠性将达到Cree同等水平。

据介绍，蓉矽是成都的碳化硅器件设计企业，成立于2019年12月，拥有13项设计与制程方面的专利，8项发明。

2021年2月2日，鲁信创投旗下基金完成对成都蓉矽半导体有限公司的投资，持有蓉矽半导体16.67%的股权。目前蓉矽的股权结构如下：

据了解，2020年10月，蓉矽完成了1200V/20A规格的SiC MPS的第一次工程批流片实验，并在初次流片中取得95%的综合良率。

在本轮融资完成后，蓉矽已经开展了1200V/80mΩSiC MOSFET的工程批投片，据介绍，“本次设计投片的MOSFET将达到和Cree同等水平的性能和可靠性，而SiC 1700V、3300V SiC二极管与MOSFET器件将在后续展开研发”。

据蓉矽半导体创始人戴茂州介绍，蓉矽的研发主要集中在SiC基的SBD与MOSFET两类的产品，其中SiC SBD的1200V/20A产品已基本具备量产能力，其动静态参数与国外同类产品相当，接下来按照汽车电子级可靠性验证标准AEC-Q1O1进行试验验证后，产品将可以应用在工业电源、新能源汽车及充电桩等领域。

戴茂州（右）

目前，该公司已经完成对标国际的1200V、20A/40A碳化硅二极管设计与流片，已进入量产验证阶段。同时使用Gen 3沟槽式工艺制作，耐压达1200V、最大通过电流20A以上的MOSFET器件也已设计与验证完成。

此外，蓉矽也已开发完成第六代FS-Trench、1200V的IGBT产品。蓉矽将会有单管及模块两大系列产品线，并针对确认的市场需求开发650V/1200V不同电流的客规产品。