突破3大关键工艺！这款SiCMOSFET登上了《新闻联播》

第三代半导体风向 · 2021-04-27

突破3大关键工艺！这款SiC MOSFET登上了《新闻联播》

4月25日，《新闻联播》报道了“国有企业数字化转型论坛”，论坛上发布了众多技术成果，其中，中电国基南方集团有限公司的SiC MOSFET电力电子器件入选，并正式对外发布。

2018年6月26日，以中国电科55所为核心资源，以固态器件和射频微系统为主业的中电国基南方集团有限公司正式揭牌成立。

国基南方（55所）是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的单位之一，建立材料外延、器件设计、芯片制造、模块封装产业链布局。

据介绍，国基南方这次发布的WM1A系列碳化硅MOSFET产品，突破高温高能离子注入、高迁移率栅氧化、激光退火等关键工艺，填补国内多项技术空白。

国基南方在国内较早建立了6英寸SiC生产线，产能10000片/月，产品包括电压覆盖650V-6500V、电流覆盖2A-50A的SiC肖特基二极管，以及650V~6500V、导通电阻17m-1000mΩ的SiC MOSFET器件。

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据透露，目前国基南方的SiC系列产品已批量应用于服务器电源、新能源发电、新能源汽车、电网输变电等领域级。

此外，国基南方还在布局射频芯片。

2019年12月16日，中电国基南方集团射频集成电路产业化项目在江宁开发区正式启动，将打造涵盖一、二、三代半导体的射频集成电路产业地标，推动实现射频集成电路核心芯片自主可控。

据介绍，项目建成后将形成年产化合物半导体圆片6万片、射频集成电路5亿只、射频模块1000万只的设计制造能力，满足5G及未来移动通信基站和终端市场需求。