新政策发布！广东23件第三代半导体大事汇总

第三代半导体风向 · 2021-04-25

4月25日，广东省人民政府发布《广东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，其中有多处提到第三代半导体。

《纲要》提出要聚焦未来通信高端器件、新型显示技术、第三代半导体等优势领域，还提出要积极发展第三代半导体、高端SOC（系统级）等芯片产品。

据“三代半风向”不完全统计，从2009年到2021年，广东三代半领域发生了23件大事，汇聚了国星光电、英诺赛科、天域、基本、芯聚能、中镓、南砂、志橙、蓝箭等相关企业。

下面为大家梳理一下——

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√2009年1月，东莞天域半导体成立。2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。2012年初，东莞天域具备年产2-3万片碳化硅外延晶片的产能。

√2009年，东莞市中镓半导体科技有限公司成立，该公司由北京大学和光大企业集团共建，总部设于广东东莞，并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心。2012年成立东莞市中镓科技集团，下设中镓半导体公司、中实创半导体照明公司、中图半导体公司及北京研发中心等多个分支机构。

√2011年，南方科技大学开始进行第三代半导体研究，建立了“第三代半导体重点实验室”，也成立了广东省GaN器件工程技术中心。

√2012年，北京大学与东莞市政府共同组建北京大学东莞光电研究院，2013年奠基，以第三代半导体材料与器件技术的研发为核心。

√2015年东莞成立第三代半导体产业专利联盟，并且推出“第三代半导体专利导航与创新服务平台”。

√2015年12月，英诺赛科（珠海）科技有限公司一期项目落户珠海市高新区，共投资10.9亿元。2017年11月9日，英诺赛科8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产。

√2016年9月，中国第三代半导体南方基地落户东莞。根据规划，南方基地于2016年全面启动建设，2019年建成，2020年投产。

√2017年12月，松山湖材料实验室启动建设，2019年第三代半导体材料与器件团队进驻松山湖材料实验室。

√2018年3月，深圳第三代半导体研究院成立，并于当年10月正式落户深圳龙华区。

√2018年6月，广东省首个第三代半导体制造业创新中心“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立。

√2018年8月，深圳起草了《深圳市坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施（征求意见稿）》，提出建设第三代半导体产业集聚区。

√2018年9月，广东芯聚能半导体有限公司签订投资协议落户南沙，2019年9月，在广州南沙举行奠基活动。项目总投资达25亿元，第一阶段将建设用于新能源汽车的IGBT和SiC功率器件与模块生产基地，第二阶段将面向新能源汽车和自动驾驶的汽车功率模块、半导体器件和系统产品。

√2019年11月，广东省第三代半导体技术创新中心东莞基地在松山湖揭牌。

√2020年1月，广东省第三代半导体技术创新中心在深圳龙华区签约揭牌。广东省第三代半导体技术创新中心是以深圳第三代半导体研究院为依托，经广东省科学技术厅批复成立的省级技术创新中心。

√2020年6月，深圳坪山半导体产业园项目开工。该项目计划实施“工改工”提容，将园区的企业集聚在第三代半导体上下游产业链上。

√2020年7月8日，南砂晶圆碳化硅单晶材料与晶片生产项目参加广州南沙区集体开工。该项目总投资9亿元，将开展碳化硅单晶材料研发、中试等工作，达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。

√2020年11月，广州市南沙区第三代半导体创新中心正式揭牌成立。

√2020年12月28日，西安电子科技大学第三代半导体创新中心签约落户广州黄埔。一期投资总额5亿元，计划在3年内分三期建成，聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓电力电子器件与集成电路等技术领域。

√2021年1月18日，深圳青铜剑第三代半导体产业基地完成奠基仪式，将建设总部、研发中心和车规级碳化硅功率器件封装线等，而深圳基本半导体有限公司是由青铜剑科技控股(持股约35.76%)。

2021年3月30日，佛山市蓝箭电子股份有限公司举行了二期厂房奠基仪式。该厂房主要用于半导体封装测试扩建项目，开展宽禁带半导体器件以及制造工艺研发创新。

√2021年4月6日，志橙半导体SiC材料研发制造总部项目通过了广东省投资项目在线审批监管平台的复核，计划开工时间为2021年5月1日，项目计划2025年达产，总投资额3.32亿元。

2021年4月，国星光电发布了一系列第三代半导体产品，包括SiC功率器件、GaN-DFN器件和功率模块（链接）。