意法半导体推出新的MasterGaN4器件

意法半导体推出新的MasterGaN4器件 收录于话题 #GaN 22个

图：多沟道GaN HEMT结构外延片及其典型2DEG分布

意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个具有225mΩRDS（on）的对称650V GaN功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护，可简化高达200W的高效功率转换应用的设计。

意法半导体的MasterGaN系列的最新成员，MasterGaN4消除了复杂的栅极控制和电路布局挑战，从而简化了使用宽带隙GaN功率半导体的设计。通过输入耐压范围为3.3V至15V的电压，可以将封装直接连接到霍尔效应传感器或CMOS器件（例如微控制器，DSP或FPGA）来控制MasterGaN4。

利用GaN晶体管出色的开关性能所带来的更高工作频率，以及提高的效率以减少散热，设计人员可以选择小型磁性元件和散热器来构建更紧凑，更轻便的电源，充电器和适配器。MasterGaN4非常适合用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如有源钳位反激式和有源钳位正激式。

宽电源电压范围为4.75V至9.5V，可方便地连接到现有电源轨。内置保护进一步简化了设计，包括栅极驱动器互锁，低侧和高侧欠压锁定（UVLO）以及过热保护。还有一个专用的关断引脚。

作为此次发布的一部分，ST还推出了专用的原型板（EVALMASTERGAN4），该板提供了一套完整的功能，可通过单个或互补的驱动信号来驱动MasterGaN4。还提供了一个可调的死区时间发生器。该电路板使用户可以灵活地应用单独的输入信号或PWM信号，插入外部自举二极管，分离逻辑和栅极驱动器电源轨，以及使用一个低侧并联电阻器来实现峰值电流模式拓扑。

MasterGaN4现已开始生产，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，爬电距离超过2mm，可在高压应用中安全使用。订购1000件批购价为每片5.99美元。EVALMASTERGAN4开发板的价格为87.00美元。

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