花1100+万转让技术，汽车级SiCMOSFET新玩家来了！

第三代半导体风向 · 2021-04-22

花1100+万转让技术，汽车级SiC MOSFET新玩家来了！

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4月21日，YES Power Technix宣布与韩国电子技术研究院（KERI）达成技术转让协议，将耗资20亿韩元（约1163万人民币），获取KERI的SiC MOSFET（沟槽结构）技术。

Yes Power公司 CTO Eun-ikik Jeong说：“采用转让技术的沟槽mosfet产品将在今年推出，并向电动汽车和家用电器客户进行展示。”

据介绍，KERI为Yes Power提供了一套全面的技术包，其中包括用于产品商业化的各种测量和分析技术，以及用于开发“沟槽结构SiC MOSFET”的原始技术。从设备购买到大规模生产线建设，KERI将提供全程帮助。

2014年就转让SiC技术

检测设备比日本便宜一半

这次转让公告提到了2个关键信息，一是KERI的SiC MOSFET，二是相关检测分析技术。

2014年6月，KERI曾介绍了他们开发的1200V/40A高压SiC MOSFET器件，其中提到，最大击穿电压超1700V，导通电阻特性小于55mΩ㎝2，电流密度为187A /㎝2。获取相关PDF，请发送私信“韩国”，或添加助手微信（hagnjiashuo666）。

当时，KERI就表示，已经将碳化硅设计和制造技术转让给半导体公司，我们猜测就是转让给YES POWER。

检测技术方面，今年3月，KERI宣布，他们已经开发了一种划时代的技术，可以在早期阶段分析和评估碳化硅材料中的缺陷。

KERI称，碳化硅材料检测设备具有很高的技术难度和进入壁垒，目前日本占据了世界市场的80％以上，而现在KERI的检测产品已经开始量产，成本仅为日本的一半，日本设备价格为14亿韩元（约813万人民币）。

据介绍，KERI开发了利用光致发光现象检测SiC材料缺陷的技术，原理是通过将紫外线能量传输到SiC材料，来分析电子发射的特定波长，以确定是否存在晶体缺陷。这种缺陷分析仪是KERI与光学检查设备专业制造商Etamax进行合作开发的。

相比之下，日本检测设备是根据检查目标和评估项目，选择两种不同波长的光，来检测表面和内部缺陷，而KERI设备可以检查各种内部缺陷。

1月份被收购33.6%股份

碳化硅年产能1.44万片

YEST集团于2017年12月成立“YES POWER TECHNIX”。今年1月28日，SK集团以268亿韩元（约1.59亿人民币）收购了Yes Power Technix公司33.6％股权。

据“三代半风向”了解，2017年10月，YEST集团就完成SiC SBD SET评估和可靠性评估，2018年7月建立韩国首条SiC功率半导体生产线。

2019年YES开发1700V碳化硅MOSFET和4500V碳化硅MOSFET。目前，YES POWER TECHNIX是韩国唯一拥有高温工艺生产线的SiC制造商，其浦项工厂的SiC晶片年产量最多可达到14400片。

YES POWER TECHNIX生产线

而KERI从2000年就开始研发碳化硅技术，截至2014年KERI的技术路线图如下↓↓↓↓