II-VI在中国扩大SiC生产规模

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新的导电SiC衬底的后端处理线在中国福州拥有超过50,000平方英尺的新洁净室空间

II-VI扩大了其在中国的SiC衬底制造处理生产基地，以服务于这个全球最大的电动汽车（EV）和清洁能源应用市场。

在降低温室气体排放的法规要求不断提高以及锂离子电池成本不断下降的刺激下，电动汽车市场发展迅猛，并推动了对基于SiC的电力电子器件的需求。SiC是一种宽禁带材料，与基于硅的电力电子器件相比，可将电动汽车的单次充电行驶里程提高约10％。

为了满足亚洲市场的需求，II-VI在中国福州的II-VI亚洲区总部建立了一条用于导电SiC衬底的后端加工线，位于50,000平方英尺的新洁净室空间中。

“根据最新的行业报告，预计中国将继续成为全球最大的电动汽车市场，占全球销量的40％以上，”新投资与宽禁带电子技术业务部执行副总裁Sohail Khan说，“我们计划在未来5到10年内大幅提高我们在美国的SiC晶碇和衬底的全球产能，以应对不断增长的电力电子市场，包括电动汽车和清洁能源应用。这些投资将得到我们全球销售团队以及我们过去20年来的创新所构建的SiC平台的支持，其中包括2015年全球首款200 mm导电衬底。我们对领导我们这一代最有前途的市场之一的这一前景感到兴奋。”

除电动汽车外，与现有基于硅的器件相比，基于SiC的电力电子器件还可以降低开关损耗，提高功率密度，改善散热并提高带宽能力，从而在太阳能和风能发电逆变器以及智能电网电力开关中实现高效率。

II-VI在福州的新SiC工厂进行的后端SiC晶体处理包括边缘研磨、化学机械抛光、清洁和检测，所有这些操作均在100级和1000级洁净室中进行。该工厂是II-VI已经宣布的计划的一部分，该计划将在五年内将其SiC衬底的生产能力提高五至十倍，其中包括直径200 mm的衬底。II-VI在中国的福州、广州、上海、深圳、苏州和无锡等城市拥有庞大的生产运营和产品开发实力。

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