三安、II-VI扩产：40万片/年；产能翻十倍！

第三代半导体风向 · 2021-04-16

三安、II-VI 扩产：40万片/年；产能翻十倍！

此前，我们报道了20万片/年（.点这里.）和30万片/年的碳化硅项目（.点这里.），最近，又迎来了一个40万片/年的项目——三安湖南碳化硅项目5月将进行机台调试，下半年正式投产。

另外，II-VI 公司昨天也宣布扩产，其福州碳化硅基地已新增4600平米厂房，并表示未来5年碳化硅产能将增加10倍。

三安：

年产40万片，下半年投产

据美通社消息，4月14日，三安集成在慕尼黑上海电子展上，展示了最新研发进展和应用方案。同时，它还公布了湖南长沙碳化硅项目的投产计划。

三安集成展台

据“三代半风向”了解，今年1月初，湖南三安半导体项目（一期）最大主体厂房已经封顶，3月份相关工厂顺利通过验收。

而在这次展会上，三安集成表示，他们着眼于2025年的电动智能汽车市场，提前布局碳化硅产能，于湖南长沙投资建设千亩制造基地，一期工程机台将于5月陆续进厂调试，下半年启动投产，预计年产量达40万片6英寸碳化硅晶圆。

据介绍，该项目于2020年7月20日开工，总投资160亿元，分2期建设，项目全面建成投产后，将形成两条并行的碳化硅产线，垂直整合了自衬底材料-外延生长-晶圆制造-到封装测试等环节。

湖南三安半导体高新产业园，摄于2021年1月。

另外，三安集成还透露，目前，他们拥有完备的碳化硅650V/1200V SBD产品系列，已通过AECQ车规级验证，下一步将继续推进车规级MOSFET验证，打造车规级碳化硅功率芯片研发、制造和服务平台。

II-VI：

产能提升10倍，生产8英寸SiC衬底

4月15日，II-VI宣布，已经在位于福州的亚洲区域总部建立了用于SiC导电衬底的后段加工线，该生产线的面积超过50000平方英尺（约4645平方米）。

II-VI总部

据介绍，II-VI新SiC后段线包括边缘研磨、化学机械抛光、清洁和检查，所有这些工序均在100级和1000级无尘洁净室中进行。

II-VI公司新企业和宽带电子技术执行副总裁Sohail Khan说，“根据最新的行业报告，预计中国将继续成为全球最大的电动汽车市场，占全球销量的40％以上，我们计划在未来5到10年内大幅提高我们在SiC晶锭和衬底的全球生产能力。”

II-VI明确表示，计划将在五年内将SiC衬底的生产能力提高5至10倍，其中包括直径200 mm（8英寸）的衬底。

II-VI公司碳化硅衬底

据了解，II-VI亚洲区总部基地与2018年11月落成，当时增加了3万平方米的生产车间，项目总投资10亿元。