X-FAB与IHP合作开发SiGe

X-FAB与IHP合作开发SiGe

产学合作的重点是IHP用于高频无线通信的SiGe异质结双极晶体管

X-FAB硅晶圆代工厂和IHP（莱布尼兹高性能微电子研究所）宣布了一项重大的产业-学术合作项目。此次合作将X-FAB在半导体制造方面的专业技术与IHP的无线通信专业技术结合在一起。

IHP的有源器件将直接集成到X-FAB的130 nm XR013 RF-SOI工艺的产线后端（BEOL）中，该工艺以铜和厚铜为基础的金属化为特色，同时还有高性能的无源元件。这种集成意味着可以尝试各种下一代无线系统概念。

已开展的合作工作的一个重点是开发先进的SiGe BiCMOS技术。这方面的基础将是IHP的SiGe异质结双极晶体管。它们具有强大的性能参数，SG13S-Cu的fT / fmax值高达250/340 GHz，SG13G2-Cu的fT / fmax值高达300/500 GHz。采用的3 μm厚的低损耗铜互连也肯定有助于提高射频性能水平。

通过IHP和EUROPRACTICE提供RF-SOI和SiGe BiCMOS技术的原型设计服务。IHP和X-FAB开发的技术将有机会用于光电子和5G无线通信系统，以及创新雷达的安装启用。

“SiGe BiCMOS在包括5G在内的许多无线应用中仍然具有诱人的前景，因为它可以将高性能RF集成在硅基平台上。IHP和X-FAB都意识到了这里的巨大潜力，” X-FAB射频技术总监Greg U'Ren说，“我们正在研究的技术是利用每个合作伙伴各自优势的合作的成果。”

IHP的科学总监Gerhard Kahmen补充说：“我们很高兴与X-FAB作为欧洲领先的半导体制造商之一进行合作。通过这种合作，我们可以将一流的研究转移到商业应用中，为400G数据通信、60-300 GHz雷达和sub-THz成像等下一代高性能射频系统奠定基础。”

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