国产芯片新突破!中微刻蚀机投产
化合物半导体市场 · 2021-03-18
国产芯片新突破!中微刻蚀机投产
半导体芯片设备龙头中微公司16日宣布新一代电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo Twin-StarR已交付客户投入生产。和国内外同类设备相比,这一刻蚀设备能以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,为逻辑芯片和存储芯片等应用提供高性价比的刻蚀解决方案。
光刻机、刻蚀机和MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)设备被并称为半导体工艺三大关键设备。目前我国在刻蚀机和MOCVD设备领域已跻身国际先进水平,并在全球市场占有一席之地。
其中,中微公司开发的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到5纳米工艺的众多刻蚀应用。同时,中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)设备已在客户生产线上投入量产,并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。
更小占地面积 更高输出效率
本次中微公司发布的Primo Twin-StarR创新使用双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计,创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应,通过采用多区温控静电吸盘(ESC)增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。
与其他同类设备相比,新产品以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用于功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。
文稿来源:大公报
图片来源:拍信网
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